販売用非対称サイリスタ438Aアプリケーション

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-KN358A10

ブランド: YZPST

製品の説明

非対称サイリスタアプリケーション

YZPST-KN358A10

非対称サイリスタアプリケーション15Vの特長：。センター増幅ゲート構成。保証された最大ターンオフ時間

。すべての拡散構造。 2,000ボルトまでの能力をブロック

。高いdV / dt能力。圧力組立装置

電気的特性および定格

ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
15	1000	15

V _RRM =繰り返しピーク逆電圧

V _DRM =繰返しピークオフ電圧

V _RSM =非反復ピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

5 mA

40 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

1000 V/msec

ノート：

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃で規定されています。

（1）すべての電圧定格は、 -40〜+ 125℃の温度範囲で、適用される50Hz / 60zHzの正弦波形に対して規定されています。

（2）10msec。 max。パルス幅

（3）Tjの最大値= 125℃。

（4）線形および指数波形の最小値80％定格VDRM。ゲートオープン。 Tj = 125℃。

（5）反復しない値。

（6）di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション 5-2-2-6に準拠して定められています。定義された値は、スナバ回路から得られる値に加えて、

テスト中のサイリスタに並列に 0.2μFのキャパシタと20オームの抵抗を含む。

導通状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		438		A	Sinewave,180^o conduction,T_c =85^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		900		A	Nominal value
Peak one cycle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 5500		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.5		KA²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.1		V	I_TM = 1500 A; Duty cycle £ 0.01%
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

電気的特性および定格

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		10		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 2.7		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		-		V

動的

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d			1	ms	I_TM =50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q	-	-	15	ms	I_TM =500 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM =500 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

*保証最大について値は、工場に連絡してください。

熱的および機械的特性および定格

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)			53 -	^oC/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)			- -	^oC/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to sink	R_Q_(j-s)			- -	^oC/KW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	5	9	-	kN
Weight	W			-	g