YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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100mA非対称サイリスタ1000A
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100mA非対称サイリスタ1000A

100mA非対称サイリスタ1000A

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ポート:Shanghai
製品の属性

モデルYZPST-KN1000A20-BSTR60133

ブランドYZPST

製品の説明

非対称サイリスタ

YZPST-KN1000A20-BSTR60133

電気的特性および定格

非対称サイリスタKT55CT-KN1000A20-BSTR60133


ノート:

特に指定のない限り すべての定格はTj = 25℃で規定されています

(1)すべての電圧定格は -40〜+ 125℃の温度範囲 で、適用される 50Hz / 60zHzの正弦波形に対して 規定されています

(2)10msec。 max。パルス幅

(3)Tjの最大値= 125℃。

(4)線形および指数 波形の 最小値 80%定格VDRM。ゲートオープン。 Tj = 125℃。

(5)反復しない値。

(6)di / dtの値は 、EIA / NIMA標準RS-397、セクション 5-2-2-6に従って設定されます。定義された値は、

試験中 のサイリスタと並列に 0.2μFのキャパシタと20オームの 抵抗 とを含む スナバ回路から得られるもの と同じである


ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)

VDRM (1)

20

2000

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰返しピークオフ電圧

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

導通状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

1000

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2000

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

20

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

2x106

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.42

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

電気的特性および定格

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

30

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

*保証最大について値は、工場に連絡してください。

熱的および機械的特性および定格

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

0.02

0.04

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

kN

Weight

W

-

g

about

*取付面は滑らかで、平らでグリース入り

注:ケースの概要と寸法については、このテクニカルデータの最後のページのケース概要図を参照してください。


YZPST-KN1000A20-BSTR60133 Asymmetric thyristors(2)

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