高dV / dt能力6500V高電力サイリスタ

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

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ポート:	SHANGHAI

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モデル: YZPST-KP894A-6500V

ブランド: YZPST

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販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

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位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

YZPST-KP894A-6500V

製品説明

特徴：

。すべての拡散構造

。インターデジタル増幅ゲート構成 v

。保証最大ターンオフ時間

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

電気的特性と定格

ブロッキング-オフ状態

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
6500	6500	6600

V _RRM =繰り返しピーク逆電圧

V _DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V _RSM =非反復ピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート：

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 ^o C に対して指定されています。

（1）すべての電圧定格は、適用される

上の50Hz / 60zHz正弦波

温度範囲-40〜+125 ^o C

（2）10ミリ秒最大パルス幅

（3）Tjの最大値= 125 ^o C

（4）80 V定格V _DRM までの線形および指数波形の最小値。ゲートが開いています。 Tj = 125 ^oC 。

（5）非反復値。

（6）di / dtの値は、 EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6を使用。定義された値は、被試験スリスタと並列の 0.2 m Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られた値に追加されます。

ノート：

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 ^o C に対して指定されています。

（1）すべての電圧定格は、適用される

上の50Hz / 60zHz正弦波

温度範囲-40〜+125 ^o C

（2）10ミリ秒最大パルス幅

（3）Tjの最大値= 125 ^o C

（4）80 V定格V _DRM までの線形および指数波形の最小値。ゲートが開いています。 Tj = 125 ^oC 。

（5）非反復値。

（6）di / dtの値は、 EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6を使用。定義されている値は、試験中のスリスタと並列の 0.2 m Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られる値に追加されます。

実施中-状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		894		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=60^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1404		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 12		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		0.72x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		3000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		300		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.4		V	I_TM = 1000 A ,T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V