YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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インバーター用途の高出力サイリスタ
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$801-199 Piece/Pieces

$40≥200Piece/Pieces

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インコタームズ:FOB,CFR,CIF
最小注文数:1 Piece/Pieces
輸送方法:Ocean,Air
ポート:Shanghai
製品の属性

モデルYZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

ブランドYZPST

【R0929LC10】15±-3.45M
▲R0929LC10截取14¢-3.18メートル
製品の説明

インバーター用途向けの高出力 サイリスタ

YZPST-R0929LC10(TQ <10US)



サイリスタの特徴:

。すべての拡散構造

。相互嵌合増幅ゲート構成

。保証された最大ターンオフ時間

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

電気的特性および定格

ブロッキング-オフ状態

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1000

1100

1200


V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非繰り返しピーク逆電圧(2)

ノート:

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 o Cに対して指定されています。

(1)すべての電圧定格は、適用される

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲-40〜+125 o C

(2)10ミリ秒。マックス。パルス幅

(3)Tj = 125 o Cの最大値。

(4)80%定格V DRMまでの線形および指数波形の最小値。ゲートが開いています。 Tj = 125 oC

(5)非反復値。

(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って設定されます。定義されている値は、0.2 mFのコンデンサーと20オームの抵抗がテスト中のスリスターと並列に構成されているババー回路から得られる値に追加されます。

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

伝導-状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

929

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1893

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

9.0

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

405x103

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.04

 

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1500

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

2

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3.0

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

2.0

-

 

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

 

-

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

熱的および機械的特性と評価

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

 

32

64

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

 

Weight

W

 

 

-

Kg

about

YZPST-R0929LC10-1





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