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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体スタッドデバイス > 位相制御スタッドサイリスタ > 高電力駆動サイリスタ電力制御100A

高電力駆動サイリスタ電力制御100A

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-TO94-KP100A06

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Package Type:
1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装


位相制御サイリスタ

YZPST-TO94-KP100A06

位相制御サイリスタの特徴:1.すべて拡散設計2. 大電流能力3.高サージ電流能力4.高速電圧5.高いDV / DT 6.低いゲート電流7.動的ゲート8.低い熱インピーダンス。 ハイパワーサイリスタ の典型的な用途は、 モジュールがハイパワードライブ、DCモータ制御、高電圧電源、中電力スイッチングおよびDC電源を持つことです。




最大定格と特性

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

ITAV

Mean on-state current

-

A

Sinewave,180° conduction,Tc=100°C

ITRMS

RMS value of on-state current

100

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 °C

I2t

I square t

4050

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

100

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

30

mA

VD = 12 V; I = 1 A

VTM

Peak on-state voltage

2.0

V

ITM = 150 A; Duty cycle £ 0.01%;

Tj = 25 °C

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

300

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

50

BLOCKING

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

600

V

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

700

V

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

10

mA

Tj = 125 °C ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

100

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

PG(AV)

Average gate power dissipation

-

W

PGM

Peak gate power dissipation

-

W

IGM

Peak gate current

-

A

IGT

Gate trigger current

200

mA

TC = 25 °C

VGT

Gate trigger voltage

3.0

V

TC = 25 °C

VT(T0)

Treshold voltage

1

V

rT

Slope resistance

2.4

VGD

Gate non-trigger voltage

0.2

V

Tj = 125 °C

SWITCHING

tq

Turn-off time

-

ms

Tj = 125 °C

td

Delay time

-

Gate current 1A, di/dt=1A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C

Qrr

Reverse recovery charge

-

熱的および機械的

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

°C

Tstg

Storage temperature

-40~150

°C

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.4

°C/W

DC operation ,Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

0.08

°C/W

Single sided cooled

P

Mounting force

-

Nm

W

Weight

-

g

about


詳細な画像
Phase Control Thyristors YZPST-TO94-KP100A06

製品グループ : 半導体スタッドデバイス > 位相制御スタッドサイリスタ

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Fax:86-514-87782297

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イーメール:info@yzpst.com

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