YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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2021年 販促用6500Vサイリスタ
2021年 販促用6500Vサイリスタ
2021年 販促用6500Vサイリスタ

2021年 販促用6500Vサイリスタ

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輸送方法:Ocean,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-5STP12K6500

ブランドYZPST

製品の説明



位相制御用ハイパワーサイリスタ

YZPST-5STP12K6500

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

6000vサイリスタの特徴: 。すべての拡散構造。スポーク増幅ゲートの設定

.保証最大ターンオフ時間。高 dV/dt 対応

.圧力組立装置


HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500


導通 - オン状態


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)


1200


A

Sinewave,180conduction,Tc=85oC

RMS value of on-state current

ITRMS


1800


A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM


19000


 

 

A


10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180conduction, T= 125 oC

I square t

I2t


12x106


A2s

10.0 msec

Latching current

IL


3


A

V= 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH


350


mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


1.99


V

IT= 3000 A; Duty cycle     0.01%

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt


 

800


A/  s

Switching from VDRM        3000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt


 200


A/  s

Switching from VDRM        3000 V


ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM


200


W

t= 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)


5


W


Peak gate current

IGM


20


A


Gate current required to trigger all units

IGT


300


mA

V= 6 V;R= 3 ohms;T= +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT


 

3


 

V

 

V= 6 V;R= 3 ohms;T= 25oC

Peak negative voltage

VGRM


20


V



HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500 * 取り付け面は滑らかで、平らで、グリースが塗布されています。


N o t e : ケースの外形と寸法については、このテクニカル データの 3 ページにあるケースの外形図を参照してください。

HIGH POWER THYRISTOR FOR PHASE CONTROL YZPST-5STP12K6500



YZPST-5STP12K6500 6500V thyristor

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