YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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揚州電力サイリスタ溶接機
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ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-R355SH12FLO

ブランドYZPST

製品の説明





サイリスタ高速高出力スイッチ

YZPST-R355SH12FLO

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

機能: 。保証最大ターンオフ時間 。インターデジタル増幅ゲート構成 。すべての拡散構造 。高いdV / dt機能 圧力組立装置


電気的特性と 定格



ブロッキング-オフ状態


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM =繰り返しピーク逆電圧

VDRM =繰り返しピークオフ状態電圧

VRSM =非反復ピーク逆電圧(2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

ノート:

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 oCに対して指定されています。

(1)すべての電圧定格は -40〜+125 oCの温度範囲で適用される50Hz / 60zHz正弦波波形に対して規定されています

(2)10ミリ秒最大パルス幅

(3)Tj = 125 oCの最大値。

(4)線形および指数波形の最小値は、定格VDRMの80%です。ゲートが開いています。 Tj = 125 oC。

(5)非反復値。

(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って確立されます。定義されている値は、試験中のスリスタと並列の0.2Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られる値に追加されます。


実施中-状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

15

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

熱的および機械的特性と評価

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

*取り付け面は滑らかで平らで、グリースが塗布されています

注:ケースの外形と寸法については、この技術データの3ページのケースの外形図を参照してください






詳細画像



Thyristor Fast High-Power Switch


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