YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ベストプライス1200Vのプロモーションパワーサイリスタ
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製品の属性

モデルYZPST-R1271NS12C

ブランドyzpst

梱包と配送
販売単位 : Others
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製品の説明


プロモーションのための高出力サイリスタ

YZPST-R1271NS12C

位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ


機能パワーサイリスタ 。すべての拡散構造。保証された最大ターンオフ時間。相互操作された増幅ゲート構成

。高DV/DT機能。圧力組み立てデバイス


電気特性と評価


ブロッキング - 状態外

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

v rrm =繰り返しピーク逆電圧

v DRM =状態電圧オフオフの繰り返しピーク

v rsm =繰り返しピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

ノート:

特に明記しない限り、すべての定格はTJ = 25 OCに対して指定されます。

(1)すべての電圧定格は、温度範囲-40〜 +125 ocで適用された50Hz/60ZHz正弦波波形に指定されています。

(2)10ミリ秒。マックス。パルス幅

(3)TJの最大値= 125 oc。

(4)80%の定格VDRMへの線形および指数波シャープの最小値。ゲートが開いています。 TJ = 125 oc。

(5)非反復値。

(6)DI/DTの値は、EIA/NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って確立されています。定義された値は、テスト中のスリスタと並行して、0.2℃のコンデンサと20オームライジスタンスを含むUbber回路から得られた値に追加されます。


指揮 - 状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

15

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

熱および機械的特性と評価

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

*サーフェスの取り付けは滑らかで平らでグリースを整えます

注:ケースの概要と寸法については、この技術データの3ページのケースアウトライン図面を参照してください




詳細な画像



Promotion Power Thyristor

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