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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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最高の価格1200Vのプロモーションパワーサイリスタ

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-R1271NS12C

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力500

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数


昇降用ハイパワーサイリスタ

YZPST-R1271NS12C

フェーズ・コントロール・アプリケーション用ハイパワー・サイリスタ


特長 パワーサイリスタ :。全ての拡散構造。保証された最大ターンオフ時間 。インターディゲート型増幅ゲート構成

。高いdV / dt能力 。圧力組立装置


電気的特性および定格


ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰返しピークオフ電圧

V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

ノート:

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃で規定されています。

(1)すべての電圧定格は -40〜+ 125℃の温度範囲で、適用される50Hz / 60zHzの正弦波形に対して規定されています

(2)10msec。 max。パルス幅

(3)Tjの最大値= 125℃。

(4)線形および指数波形の最小値80%定格VDRM。ゲートオープン。 Tj = 125℃。

(5)反復しない値。

(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って設定されます。定義された値は、試験中のサイリスタと並列に、0.2μFのキャパシタと20オームの抵抗とを含む、ubber回路から得られる値に加えられる。


導通状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

15

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

熱的および機械的特性および定格

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

*取付面は滑らかで、平らでグリース入り

注:ケースの概要と寸法については、この技術データの3ページのケースの外形図を参照してください。




詳細な画像



High Power Thyristors YZPST-R1271NS12C

製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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Fax:86-514-87782297

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