高電流サイリスタアプリケーション
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インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | SHANGHAI |
モデル: YZPST-N330CH26
ブランド: YZPST
高電流サイリスタアプリケーション
YZPST-N330CH26
ハイパワーサイリスタ3000Vの特長: 。インターデジタル化された増幅ゲート構成。高いdV / dt能力
。保証された最大ターンオフ時間 。圧力組立装置
フェーズ・コントロール・アプリケーション用ハイパワー・サイリスタ
電気的特性および定格
ブロッキング - オフ状態
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
3000 |
3000 |
3100 |
V RRM =繰り返しピーク逆電圧
V DRM =繰返しピークオフ電圧
V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
20 mA 100 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
ノート:
特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃で規定されています。
(1)すべての電圧定格は 、 -40〜+ 125℃の温度範囲 で、適用される 50Hz / 60zHzの正弦波形に対して 規定されています 。
(2)10msec。 max。パルス幅
(3)Tjの最大値= 125℃。
(4)線形および指数波形の最小値80%定格VDRM。ゲートオープン。 Tj = 125℃。
(5)反復しない値。
(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って設定されます。定義された値は、試験中のサイリスタと並列に、0.2μFのキャパシタと20オームの抵抗とを含む、ubber回路から得られる値に加えられる。
導通状態
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
1132 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
2228 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
14.3 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.02x106 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.08 |
|
V |
ITM = 1830 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
200 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ゲーティング
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
4 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
動的
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
400 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
熱的および機械的特性および定格
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
24 48 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
19 |
26 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
*取付面は滑らかで、平らでグリース入り
注:ケースの概要と寸法については、この技術データの3ページのケースの外形図を参照してください。
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