エレクトロニクス高電力サイリスタ3000V

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製品の属性

モデル: YZPST-N1132NC300

ブランド: yzpst

供給タイプ: その他, 元のメーカー, ODM, エージェンシー

参考資料: その他

構成: シングル

現在の内訳: 適用できません

電流保持（Ih）（最大）: 適用できません

電流オフ状態（最大）: 適用できません

SCR番号、ダイオード: 適用できません

動作温度: -40°C〜125°C, -40°C〜150°C

SCRタイプ: 敏感な門

構造: シングル, 適用できません

電圧オン: 7〜9V

電圧ゲートトリガー（Vgt）（最大）: 2.5V

電流出力（最大）: 適用できません

VRRM: 3000

VDRM: 3000

VRSM: 3100

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販売単位	:	Others
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製品の説明

エレクトロニクスメーカーパワーサイリスタ3000V

YZPST-N1132NC300

3000V Thyristorの機能：相互に操作するゲート構成の増幅

。保証された最大ターンオフ時間。圧力組み立てデバイス。すべての拡散構造。高DV/DT機能

電気特性と評価

ブロッキング - 状態外

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
3000	3000	3100

v _rrm =繰り返しピーク逆電圧

v _DRM =状態電圧オフオフの繰り返しピーク

v _rsm =繰り返しピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート：

特に明記しない限り、すべての定格はTJ = 25 OCに対して指定されます。

（1）すべての電圧定格は、温度範囲-40〜 +125 ocで適用された50Hz/60ZHz正弦波波形に指定されています。

（2）10ミリ秒。マックス。パルス幅

（3）TJの最大値= 125 oc。

（4）80％の定格VDRMへの線形および指数波シャープの最小値。ゲートが開いています。 TJ = 125 oc。

（5）非反復値。

（6）DI/DTの値は、EIA/NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って確立されています。定義された値は、テスト中のスリスタと並行して、0.2℃のコンデンサと20オームライジスタンスを含むUbber回路から得られた値に追加されます。

指揮 - 状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1132		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		2228		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 14.3		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.02x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.08		V	I_TM = 1830 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		400		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		4		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

動的

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	400	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=10A/us, V_r=50V, V_dr=80%V_DRM, dV_dr/dt=20V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

熱および機械的特性と評価

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		- -		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-_s₎		24 48		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	F	19	26	-	kN
Weight	W			-	Kg	about