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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > 高電圧サイリスタ制御SCR kp1000A 6500V

高電圧サイリスタ制御SCR kp1000A 6500V

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KP1000A6500V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

位相制御サイリスタ

YZPST-KP1000A6500V

位相制御サイリスタ 6600Vはサイリスタ整流器の略です。これは、サイリスタとも呼ばれる3つのPN接合の4つの層を有する高出力半導体デバイスの一種である。小容量で簡単な構造と強固な特性のため、最も一般的に使用される半導体デバイスの1つである。

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6600

V

V

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

6500

V

VT

On-state voltage

IT=1000 A

TJ = 25°C

 

 

2.95

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

1000

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

1140

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

22

K/KW

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

4

K/KW

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

9.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

470

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= 2/3VDRM

repetitive

 

 

50

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= 2/3
V
DRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

2000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.6

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

400

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

900

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

3

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD= 2/3
V
DRM

TJ = 150°C

 

 

600

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

140

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

 

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

14

22

24

kN



外形図

High Voltage Thyristor Control SCR kp1000A 6500V

製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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