DCR1020SF60ハイパワーサイリスタ6000V

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モデル: YZPST-DCR1020SF60

ブランド: YZPST

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販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

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電力制御サイリスタ

YZPST-DCR1020SF60

特徴：

。全拡散構造

。センター増幅ゲート構成

。最大4200ボルトのブロッキング能力

。保証最大ターンオフ時間

。高いdV / dt能力

。圧力組立装置

電気的特性および定格

ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
6000~6500	6000~6500	6100~6600

V _RRM =繰り返しピーク逆電圧

V _DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V _RSM =非反復ピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

25 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート：

以下の場合を除き、すべての定格はTj = 25℃に対して規定

そうでないと述べた。

（1）すべての定格電圧は、適用されている製品のものです

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲は-40〜+ 125℃です。

（2）10ミリ秒最大パルス幅

（3）Tj = 125℃のときの最大値。

（4）線形および指数関数の最小値

80％定格VDRMまでの波形。ゲートが開きます。

Ｔｉ＝１２５℃。

（5）非反復値

（6）di / dtの値は

EIA / NIMA規格RS-397、セクション

５−２−２−６。定義された値はさらに追加されます。

スナバ回路から得られたものに

0.2μFのコンデンサと20オームのコンデンサで構成

下のスリスターと並列の抵抗

テスト。

導通 - オン状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		640		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=60^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1005		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 8.5		KA KA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		0.36x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		600		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		200		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		3.6		V	I_TM = 1800 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

電気的特性および定格

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		150		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 300 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		5		V

動的

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		-	0.5	ms	I_TM =50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		-	600	ms	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

*保証最大値の場合値、工場にお問い合わせください。

熱的および機械的特性と定格

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+125		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		0.022 0.052		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		0.004 0.008		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistamce - junction to sink	R_Q₍_j_-s)		- -		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	18	22		kN
Weight	W			-	g