YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
ホーム > 製品情報> 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ)> 位相制御サイリスタ> サイリスタ制御圧力組立装置
サイリスタ制御圧力組立装置
サイリスタ制御圧力組立装置
サイリスタ制御圧力組立装置

サイリスタ制御圧力組立装置

最新の価格を取得する
お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-DCR1020SF65-1

ブランドYZPST

梱包と配送
パッケージ型式 : 1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装
製品の説明

ハイパワーサイリスタ

YZPST-DCR1020SF65-1

サイリスタの適用DCモータサイリスタ制御圧力アセンブリ式デバイスサイリスタ特に指定のない限りすべての定格はTj = 25℃に対して規定されています。

(1)すべての定格電圧は -40〜+ 125℃の温度範囲で 50Hz / 60zHzの正弦波を印加したときの値 です。

(2)10ミリ秒最大パルス幅

(3)Tj = 125℃のときの最大値。

(4) 80%定格のVDRMまでの線形および指数関数波形の最小値。ゲートが開きます。 T i = 125℃。

(5)非反復値

(6)di / dtの値はEIA / NIMA規格RS-397の 5-2-2-6 に従って設定されます。定義された値はさらに追加されます。

これは、スナバ回路から得られたもので、 0.2 µFのコンデンサと20Ωの 抵抗を テスト 対象のスリスタと並列に接続したものです

特徴: 。すべて拡散した構造 。センター】増幅ゲート設定 。最大4200ボルトのブロッキング能力

。最大ターンオフ時間保証 。 dV / dtが高い能力 。圧力組立装置

 High Power Thyristor

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

 

IT(AV)

 

 

640

 

 

A

Sinewave,180o

conduction,T =60oC

c

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1005

 

A

Nominal value

 

 

 

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

 

 

 

ITSM

 

 

-

 

8.5

 

 

KA KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o  conduction, T = 125

j

oC

I square t

I2t

 

0.36x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

600

 

mA

VD  = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

200

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

 

Peak on-state voltage

 

VTM

 

 

3.6

 

 

V

ITM  = 1800 A; Duty cPSTCle

0.01%; T = 25 oC

j

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

 

di/dt

 

 

-

 

 

A/  s

Switching from VDRM     1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

 

di/dt

 

 

100

 

 

A/  s

 

Switching from VDRM     1000 V

E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 


G T I N G

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

150

 

W

tp = 40 us

 

Average gate power dissipation

 

PG(AV)

 

 

5

 

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

 

Gate current required to trigger all units

 

IGT

 

-

300

-

 

mA mA mA

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +25 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = +125oC

D                        L                                    j

Gate voltage required to trigger all units

 

 

V

 

-

3.0

-

 

 

V V V

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = -40 oC

D                        L                                    j

V   = 6 V;R  = 3 ohms;T  = 0-125oC

D                        L                                    j

VD  = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

T = + 125 oC

j

 

Peak negative voltage

 

VGRM

 

 

5

 

 

V

 

D y n a m i c

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

 

Delay time

 

td

 

 

-

 

0.5

 

s

ITM  = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1   s; tp = 20   s

 

Turn-off time (with VR  = -50 V)

 

tq

 

 

-

 

600

 

s

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s;

VR        -50 V; Re-applied dV/dt = 20

V/  s linear to 80% VDRM; VG = 0;

T = 125 oC; Duty cPSTCle

j

0.01%

 

Reverse recovery charge

 

Qrr

 

 

*

 

 

C

ITM  = 1000 A; di/dt = 25 A/  s; VR        -50 V

* R O F GU R N t EED m a x V LU 電子 c on t a c t C T O R Y F。

T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

 

Storage temperature

 

Tstg

 

-40

 

+125

 

 

oC

 

 

Thermal resistance - junction to case

 

R  (j-c)

 

0.022

0.052

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

 

Thermal resistamce - case to sink

 

R  (c-s)

 

0.004

0.008

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

 

Thermal resistamce - junction to sink

 

R  (j-s)

 

-

-

 

o

C/W

Double sided cooled * Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

 

* Mの OU n iは ngのトン sの ウルF C ES S m個の オブジェクト指向のT H、 f l a t そして グラムの R E S

ケースの概要と寸法

 High Power Thyristor

苏ICP备05018286号-1
お問い合わせ
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

送信