サイリスタ制御圧力組立装置
最新の価格を取得するお支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | SHANGHAI |
モデル: YZPST-DCR1020SF65-1
ブランド: YZPST
パッケージ型式 | : | 1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装 |
ハイパワーサイリスタ
YZPST-DCR1020SF65-1
サイリスタの適用DCモータサイリスタ制御圧力アセンブリ式デバイスサイリスタ特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃に対して規定されています。
(1)すべての定格電圧は、 -40〜+ 125℃の温度範囲で 50Hz / 60zHzの正弦波を印加したときの値 です。
(2)10ミリ秒最大パルス幅
(3)Tj = 125℃のときの最大値。
(4) 80%定格のVDRMまでの線形および指数関数波形の最小値。ゲートが開きます。 T i = 125℃。
(5)非反復値
(6)di / dtの値はEIA / NIMA規格RS-397の 5-2-2-6 項 に従って設定されます。定義された値はさらに追加されます。
これは、スナバ回路から得られたもので、 0.2 µFのコンデンサと20Ωの 抵抗を テスト 対象のスリスタと並列に接続したものです 。
特徴: 。すべて拡散した構造 。センター】増幅ゲート設定 。最大4200ボルトのブロッキング能力
。最大ターンオフ時間保証 。 dV / dtが高い能力 。圧力組立装置
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
640 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,T =60oC c |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
1005 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
8.5 |
|
KA KA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, T = 125 j oC |
I square t |
I2t |
|
0.36x106 |
|
A2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
600 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
200 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
3.6 |
|
V |
ITM = 1800 A; Duty cPSTCle 0.01%; T = 25 oC j |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ s |
Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
100 |
|
A/ s |
Switching from VDRM 1000 V |
E L E CTR I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S
|
G T I N G
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
150 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
- 300 - |
|
mA mA mA |
V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +25 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = +125oC D L j |
Gate voltage required to trigger all units |
V |
|
- 3.0 - |
|
V V V |
V = 6 V;R = 3 ohms;T = -40 oC D L j V = 6 V;R = 3 ohms;T = 0-125oC D L j VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; T = + 125 oC j |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
5 |
|
V |
|
D y n a m i c
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
- |
0.5 |
s |
ITM = 50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 s; tp = 20 s |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
|
- |
600 |
s |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s; VR -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ s linear to 80% VDRM; VG = 0; T = 125 oC; Duty cPSTCle j 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
C |
ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ s; VR -50 V |
* R O F GU R N t個の EED m a x V LU 電子 、 c on t a c t C T O R Y F。
T H E R M A L A N D ME CH A N I C A L CH A R A C T E R IS T I C S A N D R A T I N G S
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
R (j-c) |
|
0.022 0.052 |
|
o C/W |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
R (c-s) |
|
0.004 0.008 |
|
o C/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - junction to sink |
R (j-s) |
|
- - |
|
o C/W |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
18 |
22 |
|
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
* Mの OU n iは ngのトン sの ウルF C ES S m個の オブジェクト指向のT H、 f l a t そして グラムの R E S 編
ケースの概要と寸法
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