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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > KK2000A2000Vパワーインバータサイリスタ

KK2000A2000Vパワーインバータサイリスタ

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KK2000A2000V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9000

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Package Type:
1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

相制御用高出力サイリスタ

YZPST-KK2000A2000V


特徴:

。全拡散構造

。センター増幅ゲート構成

。保証最大ターンオフ時間

。高いdV / dt能力

。圧力組立装置



ノート:

以下の場合を除き、すべての定格はTj = 25 oCで規定されています。

そうでないと述べた。

(1)すべての定格電圧は、適用されている製品の仕様です。

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲は-40〜+ 125℃です。

(2)10ミリ秒最大パルス幅

(3)Tj = 125℃のときの最大値。

(4)線形および指数関数の最小値

80%定格VDRMまでの波形。ゲートが開きます。

T i = 125℃。

(5)非反復値

(6)di / dtの値は

EIA / NIMA規格RS-397、セクション

5−2−2−6。定義された値はさらに追加されます。

スナバ回路から得られたものに

0.2μFのコンデンサと20オームのコンデンサで構成

下のスリスターと並列の抵抗

テスト。


電気的特性および定格

ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec


導通 - オン状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2000

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

3140

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

14.6

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.06x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

500

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.6

V

ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC

Threshold vlotage

VT0

-

V

Slope resistance

rT

-

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

電気的特性および定格

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

200

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

150

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.5

0.7

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

35

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

400

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

*保証最大値の場合値、工場にお問い合わせください。

熱的および機械的特性と定格

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

23

45

oC/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

kN

Weight

W

460

g

About

*取り付け面は滑らかで平らでグリースを塗って

ケースの概要と寸法

C458PB thyristor

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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