サプライヤーと通信? サプライヤー
John chang Mr. John chang
何か私にできますか?
今チャット サプライヤーと連絡する

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
I agree Bossgoo.com will authorize the transaction payment on Bossgoomall.com. Bossgoomall.com is a subsidiary of Bossgoo.com group, Please rest assured to trade.
I agree

製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > 圧力組立装置高出力サイリスタ4500V

圧力組立装置高出力サイリスタ4500V

  • $410
    1-9
    Piece/Pieces
  • $310
    ≥10
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-R3708FC45V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9000

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

YZPST-R3708FC45V

特徴:

。すべての拡散構造

。線形増幅ゲート構成

。最大4500ボルトのブロッキング機能

。最大ターンオフ時間を保証

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

ブロッキング-オフ状態



Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3708FC45

4500

4500

4600


V RRM =繰り返しピーク逆電圧


V DRM


=再P etiti V E P EAK O FF状態VO LTA G E

V RSM = N o n P etiti V E P EAK 再ERSE VO LTA G E(2)V

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 Vsec

導通-オン状態


波形 80% 定格 V DRM ゲート 開いた。 Tj = 125 o C

(5) 非反復 値。

(6) di / dt 確立されています に従って EIA / NIMA 標準 RS-397、 セクション

5-2-2-6。 T h電子 定義された するだろう なる 追加 それ 得られた から a スナバ 回路、共同メートル p 上昇します a 0.2 μF コンデンサー そして 20 OH M S抵抗 平行 スリスター テスト中。


Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

3708

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

7364

 

A

TS=25oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

50000

 

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

12.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

 

1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

 

450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

 

2.1

 

V

ITM = 4000 A; Duty cpstcle 0.01% Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state current (5, 6)

di/dt

 

 

250

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V, non-repetitive

Critical rate of rise of on-state current (6)

di/dt

 

 

100

 

A/μs

Switching from VDRM 1000 V

電気 特徴 そして 定格R3708FC45 -えーワットポー Th y ristor

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA mA mA

VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

 

0.30

5

3

 

V V V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V

 

DのY軸 NAMIC

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

 

2.5

μs

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms;

tr = 0.1 μs; tp = 20 μs

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

 

250

μs

ITM =4000 A; di/dt = 60 As;

VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20

V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us

Reverse recovery current

Irr

 

 

 

A

ITM =4000 A; di/dt = 60 As; VR =100 V


熱の そして 機械的 特徴 そして 評価

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+140

 

oC

 

Thermal resistance - junction to sink

RΘ (j-s)

 

0.0075

0.0150

 

o

C/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

98

113

 

kN

 

Weight

W

 

 

2.7

Kg.

 

* 取り付け 表面 s m ooth、 平らな そして 油を塗った

C458pb Thyristor

Sym

A

B

C

E

Inches

3.9 3

5.90

5.15

1.37

mm

100

150

131

35±1.0



製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

この仕入先にメール
  • *に:
    Mr. John chang
  • *メッセージ:
    あなたのメッセージは20から8000文字の間でなければなりません

お問い合わせ

John chang

Mr. John chang

電話番号:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

携帯電話:+8613805278321Contact me with Whatsapp

イーメール:info@yzpst.com

住所: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

モバイルサイト

ホーム

Phone

会社概要

お問い合わせ

苏ICP备05018286号-1