圧力組立装置高出力サイリスタ4500V

$4101-9 Piece/Pieces

$310≥10Piece/Pieces

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-R3708FC45V

ブランド: YZPST

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

▲R3708FC45V△15×1-1.88MP4.

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製品の説明

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

YZPST-R3708FC45V

特徴：

。すべての拡散構造

。線形増幅ゲート構成

。最大4500ボルトのブロッキング機能

。最大ターンオフ時間を保証

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

ブロッキング-オフ状態

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3708FC45	4500	4500	4600

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM

=再P etiti V E P EAK O FF状態VO LTA G E

V RSM = N o n 再P etiti V E P EAK 再ERSE VO LTA G E（2）V

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage	IRRM / IDRM	200 mA (3)
Critical rate of voltage rise	dV/dt (4)	200 V/μsec

導通-オン状態

波形に 80％定格 V DRM 。ゲート開いた。 Tj = 125 o C

（5）非反復値。

（6）の値の di / dt 確立されていますにに従って EIA / NIMA 標準 RS-397、セクション

5-2-2-6。 T hを電子値定義されたするだろうなるに追加にそれ得られたから a スナバ回路、共同メートル p は上昇します a 0.2 μF コンデンサーそして 20 OH M S抵抗に平行とのスリスターテスト中。

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		3708		A	Sinewave,180o conduction,TS=55oC
RMS value of on-state current	ITRMS		7364		A	TS=25oC
Peak one cpstcle surge (non repetitive) current	ITSM		50000		A	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		12.5x106		A2s	10.0 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 12 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		450		mA	VD = 12 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.1		V	ITM = 4000 A; Duty cpstcle ≤ 0.01% Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		250		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		100		A/μs	Switching from VDRM ≤ 1000 V

電気特徴そして定格R3708FC45 -えーワットポー Th y ristor

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		15		A
Gate current required to trigger all units	IGT	30	300 200 125		mA mA mA	VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 3		V V V	VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC VD = 12V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		15		V

DのY軸 NAMIC

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.5	μs	ITM = 50 A; VD = 1500 V Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq			250	μs	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Tp=2000us
Reverse recovery current	Irr				A	ITM =4000 A; di/dt = 60 A/μs; VR =100 V

熱のそして機械的特徴そして評価

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+140		oC
Thermal resistance - junction to sink	RΘ (j-s)		0.0075 0.0150		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	98	113		kN
Weight	W			2.7	Kg.