YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ1600V
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位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ1600V

位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ1600V

$3501-9 Piece/Pieces

$250≥10Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-KP4350A1600V

ブランドyzpst

VRRM1600V

VDRM1600V

I RRM /I DRM450A

I T(AV)4350A

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード :
私域KP4350A1600V.MP4
▲KP4350A1600V△△15㎜(1)-3.75MB.mp4
製品の説明


位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ

YZPST-KP4350A1600V


特徴:

。すべての拡散構造

。線形増幅ゲート構成

最大16 00ボルトまでの能力をブロックします

。保証された最大ターンオフ時間

。高DV/DT機能

。圧力組み立てデバイス

電気特性と評価

ブロッキング - 状態外

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KP4350A

  1600

  1600

  1700

v rrm =繰り返しピーク逆電圧

v DRM =状態電圧オフオフの繰り返しピーク

v rsm =繰り返しピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

 

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  4350

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=70oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

48900

  

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

11.9x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.5

 

V

ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt

 

      200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V



ケースの概要と寸法。

High power thyristor for phase control applications 1600V



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