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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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位相制御アプリケーション1600V用の高電力サイリスタ

  • $350
    1-9
    Piece/Pieces
  • $250
    ≥10
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KP4350A1600V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9000

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ


位相制御アプリケーション用の高電力サイリスタ

YZPST-KP4350A1600V


特徴:

。すべての拡散構造

。線形増幅ゲート構成

。最大 16 00ボルトの ブロッキング機能

。保証された最大ターンオフ時間

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

電気的特性および定格

ブロッキング-オフ状態

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KP4350A

  1600

  1600

  1700

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非繰り返しピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

 

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  4350

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=70oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

48900

  

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

11.9x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.5

 

V

ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt

 

      200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V



ケースの概要と寸法。

YZPST-KP4350A1600V



製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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