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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > 最も人気のあるスタッドトライアックスタッドサイリスタYZPST-KS150-1800V

最も人気のあるスタッドトライアックスタッドサイリスタYZPST-KS150-1800V

  • $38
    2-49
    Piece/Pieces
  • $25
    ≥50
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
2 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KS150-1800V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高10000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力10000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

YZPST-KS150-1800V

最も人気のあるスタッドトライアックスタッドサイリスタYZPST-KS150-1800V


最大定格と特性

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

 

 

 

ITRMS

RMS value of on-state current

150

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

2000

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I2t

I square t

16

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

VTM

Peak on-state voltage

1.65

V

ITM = 450 A; Tj = 25 oC

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

-

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

10

BLOCKING

 

 

 

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

1800

V

 

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

1900

V

 

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

25

mA

Tj = 100 oC ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

300

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

 

 

 

PG(AV)

Average gate power dissipation

4

W

 

PGM

Peak gate power dissipation

15

W

 

IGM

Peak gate current

-

A

 

IGT

Gate trigger current

150

mA

TC = 25 oC

VGT

Gate trigger voltage

3.0

V

TC = 25 oC

VGD

Gate non-trigger voltage

-

V

Tj = 125 oC

SWITCHING

 

 

 

tq

Turn-off time

-

ms

ITM=550A, TJ=TJmax, di/dt=40A/μs,

VR=50V, dv/dt=20V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs

td

Delay time

-

Gate current A, di/dt=40A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC

Qrr

Reverse recovery charge

-

 

熱と機械

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

oC

 

Tstg

Storage temperature

-40~150

oC

 

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.13

oC/W

DC operation Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

0.075

oC/W

Single sided cooled

P

Mounting force

31

Nm

± 10 %

W

Weight

-

g

about

概要

YZPST-KS150-1800V-2





製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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Fax:86-514-87782297

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