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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > 高いdV / dt機能1600Vの高電力サイリスタで位相制御アプリケーション

高いdV / dt機能1600Vの高電力サイリスタで位相制御アプリケーション

  • $165
    1-9
    Piece/Pieces
  • $125
    ≥10
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-R3559TD16K

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9000

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

ハイパワーサイリスタ YZPST-R3559TD16K

特徴:

。すべての拡散構造

。相互嵌合増幅ゲート構成

。最大ターンオフ時間を保証

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

ブロッキング-オフ状態

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

R3559TD16K

  1600

  1600

  1700

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非繰り返しピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

20 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート:

すべての定格は、Tj = 25 o Cに対して指定されています。

特に明記されていません。

(1)すべての電圧定格は、適用される

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲-40〜+125 o C

(2)10ミリ秒。マックス。パルス幅

(3)Tj = 125 o Cの最大値。

(4)線形および指数関数の最小値

80%定格のV DRMへの波形。ゲートが開いています。

Tj = 125 oC

(5)非反復値。

(6)di / dtの値は、

EIA / NIMA標準RS-397付き、セクション

5-2-2-6。定義された値はさらに追加されます

スナバ回路から得られるものに

0.2 mFのコンデンサと20オームを含む

下のスリスタと並列の抵抗

テスト。

導通-オン状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3500

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

  7000

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

42000

   

38000

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

7.5x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

    1000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     500

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.95

 

V

ITM = 5000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

      800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

      300

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

20

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

4

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

1600Vハイパワーサイリスタ

位相制御アプリケーション用のサイリスタ

高dV / dtサイリスタ


製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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Fax:86-514-87782297

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