高いdV / dt機能1600Vの高電力サイリスタで位相制御アプリケーション

$1651-9 Piece/Pieces

$125≥10Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
最小注文数:	1 Piece/Pieces
輸送方法:	Ocean,Air
ポート:	SHANGHAI

今連絡する

製品の説明

製品の属性

梱包と配送

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-R3559TD16K

ブランド: YZPST

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ
ダウンロード	:

M2639ZC450私域私域视频10×-2.54MB.



製品の説明

位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ

ハイパワーサイリスタ YZPST-R3559TD16K

特徴：

。すべての拡散構造

。相互嵌合増幅ゲート構成

。最大ターンオフ時間を保証

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置

ブロッキング-オフ状態

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
R3559TD16K	1600	1600	1700

V _RRM =繰り返しピーク逆電圧

V _DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V _RSM =非繰り返しピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート：

すべての定格は、Tj = 25 ^o Cに対して指定されています。

特に明記されていません。

（1）すべての電圧定格は、適用される

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲-40〜+125 ^o C

（2）10ミリ秒。マックス。パルス幅

（3）Tj = 125 ^o Cの最大値。

（4）線形および指数関数の最小値

80％定格のV _DRMへの波形。ゲートが開いています。

Tj = 125 ^oC 。

（5）非反復値。

（6）di / dtの値は、

EIA / NIMA標準RS-397付き、セクション

5-2-2-6。定義された値はさらに追加されます

スナバ回路から得られるものに

0.2 mFのコンデンサと20オームを含む

下のスリスタと並列の抵抗

テスト。

導通-オン状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		3500		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=70^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		7000		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		42000 38000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		7.5x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		1000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		500		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.95		V	I_TM = 5000 A; Tj = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		200		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		20		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300 200 125		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT	0.30	5 4		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V