YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> シリコン制御整流器(SCR)> 高いdv / dtレート2P4M / WR02052A高感度SCR
高いdv / dtレート2P4M / WR02052A高感度SCR
高いdv / dtレート2P4M / WR02052A高感度SCR
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高いdv / dtレート2P4M / WR02052A高感度SCR

高いdv / dtレート2P4M / WR02052A高感度SCR

$0.08100-999 Piece/Pieces

$0.065≥1000Piece/Pieces

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インコタームズ:FOB,CFR,CIF
最小注文数:100 Piece/Pieces
輸送方法:Ocean,Air
ポート:Shanghai
製品の属性

ブランドYZPST

IT(RMS)2a

IGT≤200μa

VDRM/VRRM600v

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

ITSM20a

I2t2a2s

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : より詳細な製品情報および取引情報については、当社の電子メールアドレス(info@yzpst.com)にお問い合わせください。
ダウンロード :
製品の説明


2P4M / WR02052A高感度SCR

YZPST-2P4M / WR0205

説明:

2P4M 2A SCRシリーズは、電磁インターフェースに対する強い抵抗を備えた高いdv / dtレートを提供します。

これらは、残留電流回路ブレーカー、ストレートヘア、イグナイターなどでの使用に特に推奨されます。

YZPST-2P4M(WR0205).jpg

主な特徴:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

絶対最大定格:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

YZPST-2P4M(WR0205)-2.jpg














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