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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ > TO-247 DC-ACコンバータ相補型NPNトランジスタ

TO-247 DC-ACコンバータ相補型NPNトランジスタ

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-2SDW100

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高1000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力10000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

相補型パワーダーリントントランジスタ

YZPST-2SDW100

特徴


■コンプリメンタリNPN - PNPトランジスタ

■モノリシックダーリントン構成



アプリケーション


■オーディオパワーアンプ

■DC-ACコンバータ

■低電圧DCモータ駆動

■汎用スイッチングアプリケーション


説明


このデバイスは、[ベースアイランド]レイアウトとモノリシックダーリントン構成の平面技術で製造されています。





T a B le 1D e v i c e サマリー

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

2SDW200


1絶対 マキシメートル UN 評価

T a B le 2AB S O LのUT電子 m a x i m u m RA TI NGS

 

Symbol

 

Parameter

Value

 

Unit

NPN

2SDW100

PNP

2SDW200

VCBO

Collector-emitter voltage (IE = 0)

80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

80

V

IC

Collector current

25

A

ICM

Collector peak current (tP < 5 ms)

40

A

IB

Base current

6

A

IBM

Base peak current (tP < 5 ms)

10

A

PTOT

Total dissipation at Tc 25 °C

130

W

TSTG

Storage temperature

-65 to 150

°C

TJ

Max. operating junction temperature

150

°C


ノー トンのE:Fまたは PN P TY p電子 V オールトンGE ND c r r e nt V アル uの電子秒 a r e n e g a ti v e


T a B le 3T ヘルムー d a ta

Symbol

Parameter

Value

Unit

RthJC

Thermal resistance junction-case max

0.96

°C/W


2電気 c h aracteristics

T ca s e = 2 5 ; 限り 他のw ise spe c ifiedied。

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A



T a B le 4E l e c tr I c al C H A RA C T E R I S T I CS

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A

1.パルステスト:パルス持続時間≦300μs、デューティサイクル≦2%。

PNPタイプの場合、電圧と電流値は負の値です。



TO- 2 4 7 M E CH A NI C A L データ

 

Dim.

mm.

Min.

Typ

Max.

A

4.85

 

5.15

A1

2.20

 

2.60

b

1.0

 

1.40

b1

2.0

 

2.40

b2

3.0

 

3.40

c

0.40

 

0.80

D

19.85

 

20.15

E

15.45

 

15.75

e

 

5.45

 

L

14.20

 

14.80

L1

3.70

 

4.30

L2

 

18.50

 

øP

3.55

 

3.65

øR

4.50

 

5.50

S

 

5.50

 

transistors 2SDW100 1transistors 2SDW100



製品グループ : 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ

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