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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

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85A電子シガーライターMosfet Load 85N03

  • $0.299
    ≥1000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-85N03

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力500

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

電子タバコ用ライターMosfet

YZPST-85N03

85A電子シガレットライターMosfetロードスイッチMosfet 85N03

VDSS30V

RDS(ON) 2.3mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 3.0mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 85A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST85N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE 3

 

ID

85

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE 3

68

A

Drain Current-Pulsed NOTE 1

IDM

320

A

Avalanche Current, L=0.1mH

IAS

50

A

Avalanche Energy, L=0.1mH

EAS

125

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25

 

PD

60

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25

5.7

W

Storage Temperature Range

TSTG

-50 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-50 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE2

RθJA

Steady State

-

-

22

°C/W

Maximum Junction-to-Case

RθJC

Steady State

-

-

2.1

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=30V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=16A

-

1.75

2.3

 

mΩ

VGS=4.5V , IDS=16A

-

2.6

3.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

-

5910

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

725

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

537

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=1A , RGEM=3.3Ω

-

20

-

 

ns

Rise Time

tr

-

6.5

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

122

-

Fall Time

tf

-

15

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=16A, VGS=10V

-

54

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

18

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

20.5

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS=0V, IS=4A

-

-

1.3

V

Body Diode Reverse Recovery Time

trr

If=10A, dl/dt=100A/μs, TJ=25°C

-

46

-

ns

Body Diode Reverse Recovery Charge

Qrr

-

38

-

nC

ノート:

パルステスト:パルス幅≦300μs、デューティサイクル≦2%。

2.RΘJAは、接合部 - ケース間およびケース - 周囲間の熱抵抗の合計です。ここで、ケースの熱基準は、ドレインピンの半田付け面と定義されます。 RΘJCは設計によって保証されていますが、RΘCAはユーザのボード設計によって決定されます。下記のRΘJAは、FR-4でのシングルデバイス操作用です。

まだ空気。

3.最大電流定格はパッケージによって制限されています。


Mosfet 85N03 (1)Mosfet 85N03 (2)Mosfet 85N03 (3)Mosfet 85N03 (4)



製品グループ : 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ

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Fax:86-514-87782297

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