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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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ホーム > 製品情報 > 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ > 省エネNPNシリコントランジスタ220v

省エネNPNシリコントランジスタ220v

  • $0.1
    ≥1000
    Bag/Bags
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Bag/Bags
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-13003DL-1

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

生産高1000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力10000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Bag/Bags
Package Type:
1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

NPNシリコントランジスタ

YZPST-13003DL

省エネランプ整流器


トランジスタは、独立してまたは非常に小さい面積にパッケージすることができ、1億以上のトランジスタ集積回路の一部を保持することができる。 省エネランプ整流器


◆絶対最大定格(Tc = 25℃)


PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

VCBO

350

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

220

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

9

V

Collector Current

IC

3

A

Total Power Dissipation

PC

25

W

Junction Temperature

Tj

150

Storage Temperature

Tstg

-55~150

電子特性(Tc = 25℃)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

Collector-Base  Voltage

VCBO

Ic=1mA Ie=0

350

 

V

Collector-Emitter  Voltage

VCEO

Ic=1mA Ib=0

220

 

V

Emitter-Base  Voltage

VEBO

Ie=1mA Ic=0

9

 

V

Collector-Base  Cutoff  Current

ICBO

Vcb=350v Ie=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Cutoff

Current

 

ICEO

 

Vce=220v Ib=0

 

 

10

 

UA

Emitter-Base  Cutoff  Current

IEBO

Veb=9v    Ic=0

 

10

UA

Collector-Emitter  Saturation

Voltage

 

Vce(sat)

 

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

 

0.9

 

V

Base-Emitter  Saturation  Voltage

Vbe(sat)

Ic=0.5A   Ib=0.1A

 

1.5

V

DC  Current  Gain

Hfe

VCE=5v     IC=0.2A

20

25

 

Diode Forward Voltage

Vf

IF=1.0A

 

2

V

 

Storage Time

 

ts

 

Ic=0.25A (UI9602)

 

1.5

 

2.5

 

us






製品グループ : 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ

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