YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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SMCシリーズ1500W低容量過渡トランジスタ
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$5.610-499 Piece/Pieces

$4.8≥500Piece/Pieces

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最小注文数:10 Piece/Pieces
輸送方法:Ocean,Air
ポート:Shanghai
製品の属性

モデルYZPST-SMCJ(G)LCE7.5A-TVS

ブランドYZPST

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ
ダウンロード :
製品の説明


SMCシリーズ1500W低容量過渡

電圧抑制器

YZPST-SMCJ(G)LCE7.5A-TVS



製品説明

説明:


この高信頼性の表面実装過渡電圧サプレッサ(TVS)製品ファミリには、一次TVS保護ダイオードと直列および逆方向の整流ダイオードが含まれています。保護されている回路は、整流ダイオードの低い100 pF容量のみを認識します。これらは、DO-215AB(ガルウィング)またはDO-214AB(Jベンド)パッケージで提供され、RoHSに準拠したバージョンが利用可能です。これらのTVSデバイスは静電容量が低いため、誘導スイッチング環境や、IEC61000-4-5とRTCA / DO-160Dに基づく雷の二次的影響に曝されるシステムの高周波信号と通信ラインの保護に適用できます。またはARINC

航空機搭載アビオニクス用の429。また、IEC61000-4-2およびIEC61000-4-4に従ってESDおよびEFTから保護します。

特徴:

100 pF程度の ² 低容量または もっと少なく。

² 成形コンパウンドの燃焼性評価: UL94V-O。

C-ベンド(DO-214ABを有する改変Jベンド)またはガルウイング(DO-215AB)で利用可能な2つの異なる終端²。

²MIL-PRF-19500に関連して利用できるスクリーニング。スクリーニングオプションの詳細については、高信頼性アップスクリーニングプラスチック製品ポートフォリオを参照してください(使用可能なすべてのオプションについては、部品の命名法を参照してください)。

²RoHS準拠のバージョン 利用可能です。

アプリケーション/メリット

10/1000で²1500ワットピークパルスパワー µs。

高周波データライン保護のための ² 低キャパシタンス1 MHz。

² レベル5波形4およびレベル2波形5Aまでの航空機高速データレートラインの保護

ARINC当たり100キロバイト/ sのビットレートで²RTCA / DO-160D(またMicroNote 130を参照)およびARINC 429( 429、

² パート1、パー 2.4.1.1)。

²IEC61000-4-2 ESD 15キロボルト(空気)、8 kVの (連絡先)。

さらにLCE170AデータスルーLCE6.5に詳述するように²IEC61000-4-5(雷) シート。

²T1 / E1回線 カード。

² 基地局、WANおよびXDSL インターフェース。

²CSU / DSU 装置。

絶対最大定格 特に明記しない限り T A =25ºC、RH = 45%-75%

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage temperature range

Tstg

-65 to +150

Operating junction temperature range

Tj

-65 to +150

Thermal Resistance Junction-to-Lead (1)

JL

20

/W

Steady state power dissipation at TL=75

PM(AV)

5.0

W

Clamping Factor @ Full Rated Power

@ 50 % Rated Power

CF

1.4

1.30

 

Peak pulse power dissipation on 10/1000μs

waveform

PPP

1500

W

clamping (0 volts to V (BR) min.)

 

clamping

< 5x10 -9

S

ノート: 1.取り付け面でリード(タブ)への標準的な接合。

マーキング

YZPST-SMCJLCE7.5A-1

電気的特性 (TA = 25℃)

Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off

Voltage VWM

 

 

7.5

 

V

Maximum Reverse Leakage @VWM

ID

 

VD= VWM

 

 

 

250

 

μA

Breakdown Voltage

V (BR) @ I (BR)

I (BR)10mA

8.33

 

10.2

V

Maximum Capacitance

0 Volts,f = 1 MHz

 

 

100

pF

Maximum Peak Pulse Current

IPP@10/1000Amps

 

10/1000μs

 

100

 

 

 

A

Maximum Clamping

Voltage@IPP VC

10/1000μsITIPPM

 

 

12.9

V

Working Inverse Blocking

Voltage VWIB

 

 

75

 

V

Inverse Blocking Leakage

Current IIB

 

 

10

 

uA

Peak Inverse Blocking

Voltage VPIB

 

 

100

 

V







苏ICP备05018286号-1
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