YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> Bi Directions Thyristor(Triac)> N-Channel Enhancement Mode 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode 1700V Silicon Carbide Power MOSFET
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N-Channel Enhancement Mode 1700V Silicon Carbide Power MOSFET

$4.15200-999 Piece/Pieces

$3.98≥1000Piece/Pieces

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インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-1A01K170K

ブランドyzpst

原産地中国

VDSmax1700V

VGSmax-10/+25V

VGSop-5/+20V

ID5.0A 3/5A

LD(pulse)6.0A

PD69W

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗血小ロスタチックパッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード :
SCR S3530 TO-220F
製品の説明

YZPST-1A01K170K
シリコンカーバイドパワーMOSFET
Nチャネルエンハンスメントモード


v DS = 1700 v

RDS(ON)= 1.0Q

LDS@25°C = 5.0 a


特徴

高電圧容量
低い抵抗の高いブロッキング電圧
低容量による高速スイッチング
並列が簡単で、運転が簡単です
超低排水ゲート容量
堅牢性
Silicon Carbide Power MOSFET


利点

より高いシステム効率
冷却要件の削減
システムの信頼性の向上
システムスイッチング周波数の増加

アプリケーション
補助電源
スイッチモード電源

Part Number Package
1A01K170K TO-247-3
最大評価(TC = 25°Cは特に指定されていない限り)

YZPST-1A01K170K-2

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苏ICP备05018286号-1
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