1500V N-Channel Power MOSFET

$2.15100-999 Piece/Pieces

$1.85≥1000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
輸送方法:	Ocean,Air
ポート:	SHANGHAI

今連絡する

製品の説明

製品の属性

梱包と配送

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-FM3N150C

ブランド: yzpst

原産地: 中国

Vdss: 1500V

ID Continuous (Tc = 25 °C ): 1.8A

ID Continuous ( Tc = 100 °C ): 1.2A

Idm: 12A

Vgss: ±30V

EAS: 225mJ

Dv/dt: 5V/ns

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード	:

製品の説明

1500V N-Channel Mosfet

YZPST-FM3N150C

概要

このパワーMOSFETは、高度な自己整合平面技術を使用して生産されます。この高度なテクノロジーは、州内抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチングパフォーマンスを提供し、雪崩および整流モードで高エネルギーパルスに耐えるように特に調整されています。

これらのデバイスは、システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用できます。

特徴

3a、1500v、rds（on）typ。 = 5q@vgs = 10 V ld = 1.5a

低ゲートチャージ（典型的な9.3NC）

低ゲートチャージ（典型的な2.4pf）

高速スイッチング

100％雪崩をテストしました

特に明記しない限り、絶対最大評価TC = 25°C

Symbol	Parameter		JFFM3N150C	Units
Vdss	Drain - Source Voltage		1500	V
Id	Drain Current	Continuous (Tc = 25 °C )	1.8	A
		Continuous ( Tc = 100 °C )	1.2	A
Idm	Drain Current - Pulsed ( Note 1)		12	A
Vgss	Gate - Source Voltage		±30	V
EAS	Single Pulsed Avalanche Energy ( Note 2 )		225	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt ( Note 3 )		5	V/ns
Pd	Power Dissipation (Tc = 25 °C )		30	W
Tj,Tstg	Operating and Storage Temperature Range		-55 to +150	°C
Tl	Maximum lead temperature for soldering purposes		300	°C
	1/8 frome case for 5 seconds

熱特性

Symbol	Parameter	JFFM3N150C	Units
Raic	Thermal Resistance, Junction-to-Case	4.1	°C/W
Rqja	Thermal Resistance, Junction-to-Ambient	62.5	°c/w

特に明記しない限り、電気特性TC = 25°C

Symbol	Parameter	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
Off Characteristics
BVdss	Drain - Source Breakdown Voltage	Vgs = 0 V, Id =250 uA	1500			V
/ BVdss/	Breakdown Voltage Temperature Coefficient	Id = 250 uA, Referenced to	--	1.3	--	v/°c
Tj	Breakdown Voltage Temperature Coefficient	25 °C	--	1.3	--	v/°c
	Zero Gate Voltage Drain Current	Vds = 1500 V, Vgs = 0 V			25	uA
Idss	Zero Gate Voltage Drain Current	Vds = 1200 V, Tc = 125 °C	--	--	500	uA
Igssf	Gate-Body Leakage Current, Forward	Vgs = 30 V, Vgs = 0 V	—	—	100	nA
Igssr	Gate-Body Leakage Current, Reverse	Vgs = -30 V, Vgs = 0 V	—	—	-100	nA
On Characteristics
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	Vds = Vgs, Id = 250 uA	3	—	5	V
RDS(on)	Static Drain-Source on-Resista nee	Vgs = 10 V, Id= 1.5A	—	5	8	Q
gFS	Forward Transconductance	Vds = 30 V, Id= 1.5 A ( Note	--	4.5	--	S
gFS	Forward Transconductance	4)	--	4.5	--	S
Dynamic Characteristics
Ciss	Input Capacitance	Vds = 25 V, Vgs = 0 V, f =	—	1938	—	pF
Coss	Output Capacitance	1.0 MHz	—	104	—	pF
Crss	Reverse Transfer Capacitance		—	2.4	—	pF
Rg	Gate resistance	F= 1.0 MHz		3.5		Q
Switching Characteristics
td(on)	Turn-On Delay Time			34		ns
tr	Turn-On Rise Time	Vds = 750 V, Id=3.0A/ Rg =		17		ns
td(off)	Turn-Off Delay Time	100 , Vgs = 10 V (Note 4,5)		56		ns
tf	Turn-Off Fall Time			27		ns
Qe	Total Gate Charge	Vds = 750 V, Id =3.0 A Vgs =		9.3		nC
Qgs	Gate-Source Charge	10 V (Note 4,5)		15		nC
Qgd	Gate-Drain Charge			5.3		nC
Drain - Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
Is	Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current				3	A
Ism	Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current				12	A
Vsd	Drain-Source Diode Forward Voltage	Vgs = 0 V, Is = 3.0 A			1.5	V
trr	Reverse Recovery Time	Vgs = 0 V, Is = 3.0 A		302		ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	dlF/dt = 100 A/us ( Note	--	10	--	uC
Qrr	Reverse Recovery Charge	4)	--	10	--	uC