nチャンネル拡張モードへのモード247 mosfet

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-STW20NM60

ブランド: yzpst

原産地: 中国

VDSS: 600V

IDM: 78A

VGS: ±30A

EAS: 1284mJ

EAR: 97mJ

TSTG,TJ: -55~+150℃

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード	:

製品の説明

プロミスg _ Chi p yzpst-stw20nm60

nチャンネル拡張モードへの247へ モスフェット

特徴

lハイラグ_ dness

l lo w r ds（on）（typ 0.22）@V GS = 10V

L Low ga te cha rge （typ 84nc）

l 向上 d DV/DT CA PA 能力

l 100％エイバ LA nche te s te d

l アプリリカ対応： ups 、充電、 PC 力、インバーター

このパワーMOSFETは、有望な高度な技術で生産されていますチップ。

これテクノロジー有効パワーモスフェットに持ってるより良い特性、含む速い切り替え時間、低いの上抵抗、低ゲートチャージ、特に優れた雪崩特性。

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDSS	Drain to source voltage	600	V
ID	Continous drain current(@Tc=25℃)	20*	A
ID	Continous drain current(@Tc=100℃)	12*	A
IDM	Drain current pulsed	78	A
VGS	Gate to source voltage	±30	V
EAS	Single pulsed avalanche energy	1284	mJ
EAR	Repetitive pulsed avalanche energy	97	mJ
dv/dt	Peak diode recovery dv/dt	5	V/ns
PD	Total power dissipation(@Tc=25℃)	42.3	W
PD	Derating factor above 25℃	0.32	W/℃
TSTG,TJ	Operating junction temperature & storage temperature	-55~+150	℃
TL	Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second	300	℃