1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET SIC MOSFET

1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET SIC MOSFET

Name: YZPST-M2G0080120D N-CHANNEL POWER MOSFET
Uploaded: 2022-10-31T09:04:52+08:00
Description: 1200V N-Channel Silicon Carbide Power Mosfet

$10100-999 Piece/Pieces

$6.5≥1000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
輸送方法:	Ocean,Air
ポート:	SHANGHAI

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-M2G0080120D

ブランド: yzpst

VDSmax: 1200V

Id: 42A

Pd: 208W

VGS,op: -5/+20V

VGSmax: -10/+25V

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗血小ロスタチックパッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード	:

YZPST-M2G0080120D N-CHANNEL POWER MOSFET

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製品の説明

M2G0080120D

1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET SIC MOSFET

特徴

•個別のドライバーソースピンを備えた最適化されたパッケージ

•低い抵抗の高いブロッキング電圧

•低容量による高速スイッチング

•低い逆回復を伴う高速固有のダイオード（QRR）

•平行に簡単です

• RoHS対応

利点

•より高いシステム効率

•冷却要件を削減します

•電力密度の増加

•より高い周波数を有効にします

•ゲートリングを最小化します

•システムの複雑さとコストの削減

アプリケーション

•スイッチモード電源

• DC/DCコンバーター

•ソーラーインバーター

•バッテリー充電器

•モータードライブ

Power MOSFET

最大評価（TC = 25°C特に指定がない限り）

Symbol	Parameter	Value	Unit	Test Conditions	Note
f^DSmax	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	V	海=0 V, /d=100 卩A
Id	Continuous Drain Current	42	A	4s=20 V Tc=25 °C	Fig. 18
Pd	Power Dissipation	208	W	*=25 °C	Fig. 19
FgS,op	Recommend Gate Source Voltage	-0.25	V
J^Smax	Maximum Gate Source Voltage	-0.4	V	AC (f>lHz)	Note 1
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to	°C
Tj, Tstg	Operating Junction and Storage Temperature Range	175	°C
7l	Soldering Temperature	260	°C

電気的特性

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	Test Conditions	Note
Static
BVds	Drain-Source Breakdown Voltage	1200	-	-	V	4s=0 V, Zd=100 卩A
A)ss	Zero Gate Voltage Drain Current	—	11	100		丹s=1200 V Pgs=0 V
Igss	Gate-Source Leakage	—	10	250	nA	4s=20 V
FGS(th)	Gate-Source Threshold Voltage	2	—	4	V	Id=5 mA,	Fig. 11
&DS(on)	Drain-Source On-Resistance	—	78	100	mQ	国=20 V, Zd=20 A	Fig. 6
Dynamic
Ciss	Input Capacitance	—	1128		PF	4s=0 V,比s=1000 V	Fig. 17
C^oss	Output Capacitance	—	86			f^l.OMHz,瓜=25 mV
Crss	Reverse Transfer Capacitance	—	5
Eoss	Coss Stored Energy	-	44		卩J		Fig. 16
Qs	Total Gate Charge	—	52		nC	moo V	Fig. 12
figs	Gate-Source Charge	-	17			血=20 A
Qgd	Gate-Drain Charge	-	15			Fgs=-5/+20 V
td(cn)	Turn-on Delay Time	—	41		ns	丹 s=800 V
tr	Turn-on Rise Time	-	21			Fgs=-5/+20 V
	Turn-off Delay Time	—	48			Id=20A
tf	Turn-off Fall Time	—	16			Ro(ext)=2.5 Q
RG(int)	Internal Gate Resistance	-	4		n	E.O MHz, Vac=25 mV