BTA26 SERIE 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

Name: TRIAC BTA26-600C TO-3PA 15-30MA
Uploaded: 2023-08-03T09:00:02+08:00
Description: TRIAC BTA26-600C TO-3PA 15-30MA

$0.71000-4999 Piece/Pieces

$0.55≥5000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
輸送方法:	Ocean,Land,Others
ポート:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):26A
VDRM:600V
VRRM:600V
VTM:≤1.5V
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃
ITSM:260A

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-BTA26-600C

ブランド: yzpst

原産地: 中国

IT(RMS): 26A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤1.5V

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 260A

I2t: 350A2s

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
ダウンロード	:

TRIAC BTA26-600C TO-3PA 15-30MA

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製品の説明

BTA26/BTB26SERIES 26A TRIACS

BTA26 SERIE 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

説明：

大きな電流の衝撃負荷に耐える能力が高いため、BTA26/BTB26シリーズTriacは、電磁界面に対して強い抵抗を伴う高いDV/DTレートを提供します。高い整流パフォーマンスにより、3つの象限製品は、誘導負荷での使用を特にお勧めします。 3つの端子すべてから外部ヒートシンクまで、BTA26はUL標準に準拠した2500 VRMの定格断熱電圧を提供します

BTA26 SERIE 26A BTA26-600C TO-3PA TRIAC

TO-3PA

主な特徴：

symbol	value	unit
IT(RMS)	26	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

絶対最大定格：

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	26	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	260	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	350	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

電気特性（TJ = 25℃特に指定がない限り）

3象限：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4象限：

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs