YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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低電力損失MK5050 PV用Schottky Bypassダイオードモジュール
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低電力損失MK5050 PV用Schottky Bypassダイオードモジュール

$0.392000-9999 Piece/Pieces

$0.35≥10000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Land,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-MK5050

ブランドyzpst

原産地中国

VRRM50V

VRMS35V

VDC50V

I(AV)50A

IFSM400A

TOP-55~+150℃

TJ≤ 200℃

Tstg-55~+150℃

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
写真の例 :
ダウンロード :
SchottkyバイパスダイオードモジュールMK5050
製品の説明
PVのバイパスダイオードモジュール
P/N:YZPST-MK5050
逆電圧:50 v
フォワード電流:50 a
特徴
シリコン整流器の金属、多数派のキャリア伝導
一時的な保護のためにガードリング
低電力損失、高効率
高電流能力、低IR
高サージ容量
高温逆特性は、太陽光発電の太陽電池保護において使用するのに優れています
機械データ
ケース:成形プラスチック、MT09E
エポキシ:UL 94V-Oレート炎遅延剤
極性:マークされています
取り付け位置:任意

マーキング:MK5050

YZPST-MK5050

最大評価と電気的特性
特に指定されていない限り、25の周囲温度での評価。
単相、半波、60Hz、抵抗性または誘導負荷。
容量性負荷の場合、電流は20%減少します。
Symbols MK5050 Units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage VRRM 50 V
Maximum RMS Voltage VRMS 35 V
Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 V
Maximum Average Forward Rectified Current at TC = 125°C I(AV) 50 A
Peak Forward Surge Current,
8.3ms single half-sine-wave IFSM 400 A
superimposed on rated load (JEDEC method)
Maximum Forward at IF  = s0A, TC  = 25°C at IF  = s0A, TC  =125°C VF 0.55 V
Voltage (Note 1) 0.47
Maximum Reverse Current at TJ=25 IR 0.5 mA
at Rated DC Blocking Voltage TJ=100 500
Typical Thermal Resistance RθJC 1.2 /W
Operating Junction Temperature Range TOP -55 to +150
Junction Temperature in DC Forward Current Without Reverse Bias. T  1 hour (Note 3) TJ  200
Storage Temperature Range Tstg -55 to +150

ノート:

1-300USパルス幅、2%デューティサイクル。

2-ケースへの熱抵抗接合部。ヒートシンクなし。

3- IEC 61215 edの要求を満たします。 2バイパスダイオードサーマルテスト。



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