YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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偉大な価格でSCRトランジスタパワートランジスタの価格
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ポート:Shanghai
製品の属性

モデルYZPST-1690-TO-247S

ブランドYZPST

梱包と配送
パッケージ型式 : 1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装
製品の説明
PST1690シリーズ90A SCR

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 S Eの R iが S、O F E si lアイコン C 0 N trolled H I G H AB I L ITY番目W REC T I F IERS、 h st an d T h 電子 D I N G O SのH 2 O CK L O F LAR G E C U R R EN T、P RO Vの IDE 時間 I Gの時間のD V / D T レート G S さt R CEレジスト E LEC T R O M G NEチックiがN T E R F E再 n個 C E。 E Y再電子 S のp 電子 cially D E D エン ミリメートル O REC F O R使用 あん S O L I D Eの R W STのTE RELAのY、MO T 0のRC Yの CLE、PO C ヘクタール R gは E r T - T OO LS E TC

偉大な価格でSCRトランジスタパワートランジスタの価格

B S O L U TE MA X I MU M R Aティンズ

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A CTERI S TICS
T j = 25 U N より少ないO T H E R W ISE すなわち d F S のPE CI)

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

S TA TIC C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

サーマル R E S I S T AN CE S

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


詳細な画像

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