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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体プラスチックパッケージ > シリコン制御整流器(SCR) > 高感度のトリガーレベルX0405 SCR

高感度のトリガーレベルX0405 SCR

  • $0.11
    ≥1000
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1000 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-X0405

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ

生産高1000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力10000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージ


シリコン制御整流器(SCR)

YZPST-X0405

説明:

非常に敏感なトリガーレベルのおかげで、

X0405 SCRシリーズはすべてのアプリケーションに適しています

利用可能なゲート電流が制限されている場合、

地絡回路遮断器、過電圧

低電源のクローバー保護、

容量性点火回路、...


主な特徴

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

絶対最大定格


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

電気的特性(特に指定のない限り、T = 25℃)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

静的な特性

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

熱抵抗

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

注文情報スキーム

YZPST-X0405


製品グループ : 半導体プラスチックパッケージ > シリコン制御整流器(SCR)

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