NPNシリコン電源トランジスタMJE2955T MJE3055Tを相補的

Name: YZPST-MJE2955T NPNシリコン電源トランジスタMJE29
Uploaded: 2022-12-21T14:17:30+08:00
Description: NPNシリコン電源トランジスタMJE2955T MJE3055Tを相補的

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-MJE2955T

ブランド: yzpst

VCBO: -70V

VCEO: -60V

VEBO: -5V

IC: -10A

PTOT: 75W

Tj: 150℃

Tstg: -55-150℃

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード	:

YZPST-MJE2955T NPNシリコン電源トランジスタMJE29

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製品の説明

PNPシリコン電源トランジスタMJE2955T

desrcription：
MJE2955TはPNPトランジスタであり、MJE3055Tに相補的であり、オーディオパワー増幅および電力変換回路で使用されています。

パッケージフォーム：TO-220

TO220 Silicon Power Transistors MJE2955T

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCBO	Collector-Base Voltage	-70	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage	-60	V
VEBO	Emitter-Base Voltage	-5	V
IC	Continuous Collector Current	-10	A
PTOT	Total dissipation at Tcase=25 ℃	75	W
T_j	Junction Temperature	150	℃
T_stg	Storage Temperature Range	-55-150	℃

●電気特性（TC = 25°C、特にそうでない限り 指定）

Symbol	Parameter	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Parameter	Test Condition	Min	Type	Max	Unit
VCBO	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= -10mA	-70			V
VCEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage	I_C= -200mA	-60			V
VEBO	Emitter-Base Breakdown Voltage	I_E= -10mA	- 5			V
ICBO	Collector Cutoff Current	V_CB= -70V			1	mA
IEBO	Emitter Cutoff Current	V_EB= -5V			5	mA
hFE	DC Current Gain	I_C= -4A,V_CE= -4V	20		100
VCE(sat)	Collector-Base Breakdown Voltage	I_C= -4A,I_B= -0.4A			-1.1	V
VBE(sat)	Base-Emitter Saturation Voltage	I_C= -4A,I_B= -4A			-1.8	V
f_T	Transition Frequency	VCE=10V, IC=0.5A， f=1MHZ	2			MHZ
a：Pulse Test，tp ≤300us，δ≤2%