Westcode Thyristor Power Controller 1200V with CE
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モデル: YZPST-R220CH12FJO
ブランド: YZPST
多機能高速スイッチングサイリスタ
YZPST-R220CH12FJO
CE付き位相制御1200V用のハイパワーサイリスタ
スイッチングサイリスタの特徴は、製品がすべて拡散構造、交互嵌合増幅ゲート構成、最大ターンオフ時間の保証、高いDV / DT機能、および圧力組み立てデバイスを備えていることです。
電気的特性と定格
ブロッキング-オフ状態
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
VRRM =繰り返しピーク逆電圧
VDRM =繰り返しピークオフ状態電圧
VRSM =非反復ピーク逆電圧(2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
ノート:
特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 oCに対して指定されています。
(1)すべての電圧定格は、適用される
上の50Hz / 60zHz正弦波
温度範囲-40〜+125 oC。
(2)10ミリ秒最大パルス幅
(3)Tj = 125 oCの最大値。
(4)線形および指数波形の最小値は、定格VDRMの80%です。ゲートが開いています。 Tj = 125 oC。
(5)非反復値。
(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って確立されます。定義されている値は、試験中のスリスタと並列の0.2Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られる値に追加されます。
実施中-状態
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
964 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1971 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.4 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
442x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
1.96 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ゲーティング
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
動的
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
- |
25 |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
熱的および機械的特性と評価
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
*取り付け面は滑らかで平らで、グリースが塗布されています
注:ケースの外形と寸法については、この技術データの3ページのケースの外形図を参照してください
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