世界中に輸出される高周波サイリスタ
最新の価格を取得するお支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | SHANGHAI |
モデル: YZPST-R0929LC12A
ブランド: YZPST
経済的で効率的な高周波サイリスタを世界中に輸出
YZPST-R0929LC12A
位相制御アプリケーション向けの高出力サイリスタ
THYRISTOR 1200Vの機能は、インターデジタル 増幅ゲート構成 です。 すべての拡散構造、最大ターンオフ時間の保証。圧力組立装置
および高いdV / dt機能。
電気的特性と定格
ブロッキング-オフ状態
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
1200 |
1200 |
1300 |
V RRM =繰り返しピーク逆電圧
V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧
V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
15 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
200 V/msec |
ノート:
特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25 oCに対して指定されています。
(1)すべての電圧定格は、 -40〜+125 oCの温度範囲で適用される50Hz / 60zHz正弦波波形に対して規定されています。
(2)10ミリ秒最大パルス幅
(3)Tj = 125 oCの最大値。
(4)線形および指数波形の最小値は、定格VDRMの80%です。ゲートが開いています。 Tj = 125 oC。
(5)非反復値。
(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6に従って確立されます。定義されている値は、試験中のスリスタと並列の0.2Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られる値に追加されます。
実施中-状態
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Max. average value of on-state current |
IT(AV)M |
|
929 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=55oC |
RMS value of on-state current |
IT(RMS)m |
|
1893 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
9.0 |
|
kA
kA |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
405x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I = 2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.04 |
|
V |
ITM = 1400 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
1500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
1000 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ゲーティング
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
2 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
3.0 |
|
V
|
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Peak negative voltage |
VRGM |
|
5 |
|
V |
|
動的
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
- |
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
2.0 |
- |
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
- |
10 |
- |
ms |
ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
熱的および機械的特性と評価
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
- - |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-s) |
|
32 64 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled |
Mounting force |
F |
10 |
20 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
about |
*取り付け面は滑らかで平らで、グリースが塗布されています
注:ケースの外形と寸法については、この技術データの3ページのケースの外形図を参照してください
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.