YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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単一MESA構造TO-220F 600V BT152X-600R TRIAC
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$0.184000-19999 Piece/Pieces

$0.14≥20000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Land,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-BT152X-600R

ブランドyzpst

Place Of OriginChina

IT (RMS)20A

VRRM600V

IT(AV)13A

ITSM200A

IGM4A

PGM5W

PG(AV)1W

Tstg-40--+150℃

Tj-40--+125℃

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
ダウンロード :
製品の説明

BT152-600R/800R

単一MESA構造TO-220F 600V BT152X-600R TRIAC

YZPST-BT152X-600R

●製品機能
シリコン一方的なデバイスNPN​​P 4層構造、
スルー拡散分離についてのP+、
単一メサ構造(単一メサ)、
テーブルガラスのパッシングプロセス、
背面(アノード)電極金属:ti-ni-ag
現在の衝撃耐性の高い能力
●主な目的
交互の電流スイッチ、
AC DC電源コンバーター、
電気加熱の制御
モーター速度制御
●パッケージ
TO-220M1 TO-220F

YZPST-BT152X-600R

メイン機能(TJ = 25℃)

Symbol Value Unit
IT (RMS) 20 A
VDRM   VRRM 600/800 V
IGT 200 uA

絶対評価(値の制限)

Symbol Parameter Value Unit
IT (RMS) RMS on-state current (180 °conduction angle) 20 A
IT(AV) AV on-state current (180 °conduction angle) 13 A
ITSM Non repetitive surge peak on-state 200 A
Current (tp=10ms)
IGM Peak gate current(tp=20us) 4 A
PGM Peak gate power 5 W
PG(AV) Average gate power 1 W
Tstg Storage temperature 110
Tj Operating junction temperature 85

熱抵抗

Symbol Parameter Value Unit
TO-220M1 2.2
Rth (j-c) Junction to case TO-220F 2.5 /W

電気特性(TJ = 25℃特に明記しない限り)

Symbol Test Conditions Value Unit
Min Type Max
IGT VD=12V, RL=33Ω ---- 5 25 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω ----- ----- 1.3 V
VGD VD=VDRMRL=3.3KΩRGK=1KΩ,Tj=125℃ 0.2 ----- ----- V
IH IT=500mA ----- ----- 30 mA
IL IG=1.2IGT ----- ----- 60 mA
dV/dt VD=67%VDRMGateOpen Tj=110℃ 500 v/ μs
----- -----
VTM IT=30A,tp=380 μs ----- ----- 1.6 V
dI/dt IG=2IGT 50 ----- ----- A/μs
I2T Tp=10ms ----- ----- 200 A2S
Tj=25℃ ----- ----- 10 μA
IDRM VD=VDRM Tj=125℃ ----- ----- 1 mA
Tj=25℃ ----- ----- 10 μA
IRRM VR=VRRM Tj=125℃ ----- ----- 1 mA

パッケージの測定
((to--220f))
TO-220

苏ICP备05018286号-1
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