YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> Bi Directions Thyristor(Triac)> TO-220F BTA216X-600B Triacは、DV/DTで優れたパフォーマンスと信頼性を持っています
TO-220F BTA216X-600B Triacは、DV/DTで優れたパフォーマンスと信頼性を持っています
TO-220F BTA216X-600B Triacは、DV/DTで優れたパフォーマンスと信頼性を持っています
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TO-220F BTA216X-600B Triacは、DV/DTで優れたパフォーマンスと信頼性を持っています

$0.165000-49999 Piece/Pieces

$0.13≥50000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Land,Express,Others
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-BTA216X-600B

ブランドyzpst

原産地中国

IT(RMS)16A

VDRM600V

VRRM600V

I2t98A2S

Di/dt100A/μs

IGM2A

VGM5W

PGM5W

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
ダウンロード :
Triac BTA216X-600B TO220F
製品の説明
BTA216X-600Bトライアック
desrcription:
ガラスの不動態化の分離により、これらのデバイスは良好です
DV/DTでのパフォーマンスと信頼性。 Triacシリーズは適しています
汎用ACスイッチング。それらはオンオフとして使用できます
静的リレー、加熱調節などのアプリケーションの関数
または、光調光器での位相制御操作の場合、モーター速度

コントローラー。

YZPST-BTA216X-600B

主な特徴

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

16

A

VDRM/VRRM

600

V

IGT

10

mA

絶対最大定格

Symbol PARAMETER Value Unit
IT(RMS) RMS on-state current(full sine wave) TO-220.Non-Ins TC99℃ 16 A
Non repetitive surge peak on-state current t=20ms 140
ITSM (full sine wave, Tj=25℃) t= 16.7ms 150 A
I2t I2t Value for fusing t= 10ms 98 A2S
di/dt Repetitive rate of rise of on-state Current after triggering ITM  = 20 A; IG = 0.2 A dIG/dt = 0.2 A/us 100 A/μs
IGM Peak gate current, 2 A
VGM Peak gate voltage 5 W
PGM Peak gate power 5 W
PG(AV) Average gate power over any 20 ms period 0.5 W
Tstg Storage junction temperature range -40 to +150
Tj Operating junction temperature range 125

電気特性(TJ = 25°C、特に指定がない限り)

静的特性

Symbol Parameter Test Condition Quadrant Value Unit
MIN TYPE MAX
IGT Gate trigger current VD= 12V, IT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - 10 mA
VD= 12V, IT=0. 1A - 0.7 1.5
VGT Gate trigger voltage VD=400V, IT=0. 1A,Tj= 125°C 0.25 0.4 - V
VT On-state voltage IT=20A - 1.2 1.5 V
IH Holding current VD= 12V, IGT=0. 1A Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ - - mA
Ⅰ-Ⅲ - - 60 mA
IL Latching current VD= 12V, IGT=0. 1A - - 90 mA
ID Off-state leakage current VD = VDRM(max); Tj= 125 ˚C - 0.1 0.5 mA

動的特性

Symbol Parameter Test Condition Value Unit
MIN TYPE
dVD/dt Critical rate of rise of off- state voltage VDM  = 67% VDRM(max); Tj = 125 ˚C 1000 4000 V/us
exponential waveform; gate open circuit
dIcom/dt Critical rate of change of commutating current VDM  = 400 V; Tj = 125 ˚C; IT(RMS)  = 16A; without snubber; gate open circuit 28 A/ms
T Gate controlled turn-on time ITM  = 20 A; VD = VDRM(max) ; IG  = 0. 1 A; dIG/dt = 5 A/µs 2 us
tgt

パッケージ 機械 データ

YZPST-BTA216X-600B TO-220F



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