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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > KP800Aディスクサイリスタ1800v

KP800Aディスクサイリスタ1800v

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KP800A 1800V

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力1000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

位相制御サイリスタ

YZPST-KP800A1800V


位相制御サイリスタ1900V は、あらゆる種類の電子機器および電子製品に広く使用されています。それは制御された整流器、インバーター、周波数変換、電圧調整および非接触スイッチのために使用されます。タイムコントローラ、玩具機器、無線リモコン、カメラ、サイリスタ機器は産業用制御などに広く使われています。



Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1500 A

TJ = 25°C

 

 

1.70

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

800

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

2214

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.032

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

12.7

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

806

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

500

A/µs

non-repet

 

 

1000

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

3.0

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

300

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

500

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-40

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-40

 

125

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

10

 

20

kN

外形図

Phase Control Thyristor




製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

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