YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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NPNシリコン電源トランジスタ13005D
NPNシリコン電源トランジスタ13005D
NPNシリコン電源トランジスタ13005D
NPNシリコン電源トランジスタ13005D
NPNシリコン電源トランジスタ13005D

NPNシリコン電源トランジスタ13005D

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Air
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-13005D

ブランドyzpst

VCBO700V

VCEO400V

VEBO9V

IC3A

Icm6A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード :
NPNシリコン電源トランジスタYZPST-13005D
製品の説明

NPNシリコン電源トランジスタ13005D
●Desrcription:
13005Dは、電子バラストと電子省エネルギー貯蓄ランプで使用されるNPNトランジスタです。低スイッチング損失、高信頼性、高温特性、適切なスイッチング速度、高逆流電圧、低逆漏れの特性があります。

Silicon Power Transistors

●絶対最大Iママの評価

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

700

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

400

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

9

V

IC

Continuous Collector Current

3

A

Icm

Collector Pulse CurrentTp5ms

6

A

PTOT

 

Total dissipation at Tcase=25 ℃

TO-126SD

50

W

TO-220

75

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55150

●電気特性(TC = 25°C、特に指定がない限り)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 700 VIE=0

 

 

0.1

mA

ICEO

Base Cutoff Current

VCE= 400 VIc=0

 

 

0.1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 9 VIC=0

 

 

0.1

mA

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

700

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 0.1mA

400

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IB= 0.1mA

9

 

 

V

hFE

DC Current Gain

IC= 0.5A,VCE= 5V

15

 

35

 

a

VCE sat

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1

V

a

VBE sat

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 2A,IB= 0.5A

 

 

1.5

V

ts

Storage Time

UI9600Ic=0.5A

2

 

7

us

fT

Transition Frequency

VCE=10VIC=0.2A F=1MHz

5

 

 

MHz

aPulse Testtp 300usδ≤2%

●パッケージの機械データ

Silicon Power TransistorsNPN Silicon Power Transistors

苏ICP备05018286号-1
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