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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

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パワーMOSFET smd 110v STC2326

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
SHANGHAI
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-STC2326

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高1000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力10000

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートSHANGHAI

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

B TA30シリーズトライアック

YZPST-STC2326

DESCRIPTION


STC2326は、超高密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されたNチャネル・ロジック・エンハンスメント・モードのパワー電界効果トランジスタです。 STC2326は、同期または従来のスイッチングPWMコントローラを使用してDC / DCコンバータの総合効率を改善するように設計されています。低ゲート電荷、低RDS(ON)、高速スイッチング速度に最適化されています。

アプリケーション


電源システム

DC / DCコンバータ

ロードスイッチ


特徴

110V / 3A、RDS(ON)=310mΩ@ VGS = 10V

非常に低いRDS(ON)のための高密度セル設計

優れたオン抵抗と最大DC 電流能力

SOT-23-6Lパッケージデザイン


ピン配置(SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RDER ING IN F O R M A T I O N

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S T A = 25℃ U n l e s s o t h e r w i s e n o t e d

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


製品グループ : 半導体プラスチックパッケージ > シリコントランジスタ

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