販売用非対称サイリスタ438Aアプリケーション
最新の価格を取得するお支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | SHANGHAI |
お支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | SHANGHAI |
モデル: YZPST-KN358A10
ブランド: YZPST
非対称サイリスタアプリケーション
非対称サイリスタアプリケーション15Vの特長: 。センター増幅ゲート構成 。保証された最大ターンオフ時間
。すべての拡散構造 。 2,000ボルトまでの能力をブロック
。高いdV / dt能力 。圧力組立装置
電気的特性および定格
ブロッキング - オフ状態
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
15 |
1000 |
15 |
V RRM =繰り返しピーク逆電圧
V DRM =繰返しピークオフ電圧
V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM
|
5 mA 40 mA (3) |
Critical rate of voltage rise (4) |
dV/dt |
1000 V/msec |
ノート:
特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃で規定されています。
(1)すべての電圧定格は、 -40〜+ 125℃の温度範囲で、適用される50Hz / 60zHzの正弦波形に対して規定されています。
(2)10msec。 max。パルス幅
(3)Tjの最大値= 125℃。
(4)線形および指数波形の最小値80%定格VDRM。ゲートオープン。 Tj = 125℃。
(5)反復しない値。
(6)di / dtの値は、EIA / NIMA標準RS-397、セクション 5-2-2-6に準拠して定められています。定義された値 は、スナバ回路から得られる値に加えて、
テスト中 のサイリスタに並列に 0.2μFのキャパシタと20オームの抵抗を含む。
導通状態
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV) |
|
438 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc =85oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
900 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cycle surge (non repetitive) current |
ITSM |
|
-
5500 |
|
A
A |
8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
1.5 |
|
KA2s |
8.3 msec and 10.0 msec |
Latching current |
IL |
|
- |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
1000 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM |
|
2.1 |
|
V |
ITM = 1500 A; Duty cycle £ 0.01%
|
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
500 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
電気的特性および定格
ゲーティング
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
30 |
|
W |
tp = 40 us |
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
10 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
- |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
300
|
|
mA mA mA |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC |
Gate voltage required to trigger all units
|
VGT |
|
- 2.7
|
|
V V V |
VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC |
Peak negative voltage |
VGRM |
|
- |
|
V |
|
動的
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
td |
|
|
1 |
ms |
ITM =50 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms |
Turn-off time (with VR = -50 V) |
tq |
- |
- |
15 |
ms |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01% |
Reverse recovery charge |
Qrr |
|
* |
|
mC |
ITM =500 A; di/dt =25 A/ms; VR ³ -50 V |
*保証最大について値は、工場に連絡してください。
熱的および機械的特性および定格
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+150 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c)
|
|
|
53 - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
|
- - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Thermal resistance - junction to sink |
RQ (j-s) |
|
|
- - |
oC/KW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
P |
5 |
9 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
g |
|
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.