YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> シリコントランジスタ> シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ

シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ

$0.72100-499 Piece/Pieces

$0.55≥500Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Air
ポート:Shanghai
製品の属性

モデルYZPST-FW26025A

ブランドyzpst

TypeIntrinsic Semiconductor

ApplicationRadio

Batch Number2010+

VCBO-100V

VCEO-100V

VEBO-5V

IC-20A

Icm-40A

IB-0.5A

PC160W

TJ200℃

Tstg-65~200℃

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗血圧剤パッケージ2.カートンボックス3.プラスチック保護パッケージング
ダウンロード :
FW26025A私域.MP4
FW26025A私域私域视频1-15秒2.21MB
製品の説明

シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ

YZPST-FW26025A

シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ

説明

・高DC電流ゲイン -

:hfe = 5000(min)@ ic = -2a

・コレクターエミッター持続電圧 -

:vceo(sus)= -100V(min)

・堅牢なデバイスパフォーマンスと信頼性の高い動作のための最小ロットからロットへのバリエーション。

アプリケーション

・線形およびスイッチング産業用具用に設計されています

絶対的な最大評価(TA = 25℃)

SYMBOL

 

PARAMETER

 

VALUE

 

UNIT

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

 

-100

 

V

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage

 

-100

 

V

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

-5

 

V

 

IC

 

Collector Current-Continuous

 

-20

 

A

 

ICM

 

Collector Current-Peak

 

-40

 

A

 

IB

 

Base Current- Continuous

 

-0.5

 

A

 

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

 

160

 

W

 

Tj

 

Junction Temperature

 

200

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

-65~200

熱特性

SYMBOL

 

PARAMETER

 

MAX

 

UNIT

 

Rth j-c

 

Thermal Resistance, Junction to Case

 

1.09

/W

電気的特性

TC = 25℃特に指定がない限り

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

MIN

 

TYP.

 

MAX

 

UNIT

 

VCEO(SUS)*

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC= -100mA, IB= 0

 

-100

 

 

 

V

 

VCE(sat)-1*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -10A ,IB= -40mA

 

 

 

-2.0

 

V

 

VCE(sat)-2*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-3.0

 

V

 

VBE(sat)*

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-4

 

V

 

V BE(on)*

 

Base-Emitter On Voltage

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

 

 

-2.8

 

V

 

ICEO

 

Collector Cutoff current

 

VCE= -50V, IB= 0

 

 

 

-1

 

mA

 

ICEV

 

Collector Cutoff current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

 

 

-0.5

 

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150

-5

 

IEBO

 

Emitter Cutoff Current

 

VEB= -5V; IC= 0

 

 

 

-2

 

mA

 

hFE-1*

 

DC Current Gain

 

IC= -2A ; VCE= -3V

 

5000

 

 

 

 

hFE-2*

 

DC Current Gain

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

750

 

 

18000

 

 

hFE-3*

 

DC Current Gain

 

IC= -30A ; VCE= -3V

 

200

 

 


*:パルステスト:パルス幅= 300US、デューティサイクル以下2%

Silicon PNP Darlington Power Transistor




ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> シリコントランジスタ> シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
苏ICP备05018286号-1
お問い合わせ
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

送信