シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
$0.72100-499 Piece/Pieces
$0.55≥500Piece/Pieces
お支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | Shanghai |
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インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | Shanghai |
モデル: YZPST-FW26025A
ブランド: yzpst
Type: Intrinsic Semiconductor
Application: Radio
Batch Number: 2010+
VCBO: -100V
VCEO: -100V
VEBO: -5V
IC: -20A
Icm: -40A
IB: -0.5A
PC: 160W
TJ: 200℃
Tstg: -65~200℃
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
YZPST-FW26025A
シリコンPNPダーリントンパワートランジスタ
説明
・高DC電流ゲイン -
:hfe = 5000(min)@ ic = -2a
・コレクターエミッター持続電圧 -
:vceo(sus)= -100V(min)
・堅牢なデバイスパフォーマンスと信頼性の高い動作のための最小ロットからロットへのバリエーション。
アプリケーション
・線形およびスイッチング産業用具用に設計されています
絶対的な最大評価(TA = 25℃)
SYMBOL |
PARAMETER |
VALUE |
UNIT |
VCBO |
Collector-Base Voltage |
-100 |
V |
VCEO |
Collector-Emitter Voltage |
-100 |
V |
VEBO |
Emitter-Base Voltage |
-5 |
V |
IC |
Collector Current-Continuous |
-20 |
A |
ICM |
Collector Current-Peak |
-40 |
A |
IB |
Base Current- Continuous |
-0.5 |
A |
PC |
Collector Power Dissipation @TC=25℃ |
160 |
W |
Tj |
Junction Temperature |
200 |
℃ |
Tstg |
Storage Temperature Range |
-65~200 |
℃ |
熱特性
SYMBOL |
PARAMETER |
MAX |
UNIT |
Rth j-c |
Thermal Resistance, Junction to Case |
1.09 |
℃/W |
電気的特性
TC = 25℃特に指定がない限り
SYMBOL |
PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN |
TYP. |
MAX |
UNIT |
VCEO(SUS)* |
Collector-Emitter Sustaining Voltage |
IC= -100mA, IB= 0 |
-100 |
|
|
V |
VCE(sat)-1* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -10A ,IB= -40mA |
|
|
-2.0 |
V |
VCE(sat)-2* |
Collector-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-3.0 |
V |
VBE(sat)* |
Base-Emitter Saturation Voltage |
IC= -20A ,IB= -200mA |
|
|
-4 |
V |
V BE(on)* |
Base-Emitter On Voltage |
IC= -10A ; VCE= -3V |
|
|
-2.8 |
V |
ICEO |
Collector Cutoff current |
VCE= -50V, IB= 0 |
|
|
-1 |
mA |
ICEV |
Collector Cutoff current(VBE=-1.5V) |
VCE= -100V, IB= 0 |
|
|
-0.5 |
mA |
VCE= -100V, IB= 0,Tc=150℃ |
-5 |
|||||
IEBO |
Emitter Cutoff Current |
VEB= -5V; IC= 0 |
|
|
-2 |
mA |
hFE-1* |
DC Current Gain |
IC= -2A ; VCE= -3V |
5000 |
|
|
|
hFE-2* |
DC Current Gain |
IC= -10A ; VCE= -3V |
750 |
|
18000 |
|
hFE-3* |
DC Current Gain |
IC= -30A ; VCE= -3V |
200 |
|
|
|
*:パルステスト:パルス幅= 300US、デューティサイクル以下2%
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