サプライヤーと通信? サプライヤー
John chang Mr. John chang
何か私にできますか?
今チャット サプライヤーと連絡する

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
I agree Bossgoo.com will authorize the transaction payment on Bossgoomall.com. Bossgoomall.com is a subsidiary of Bossgoo.com group, Please rest assured to trade.
I agree

製品情報

ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ > 位相制御用のプロモーション用高電力サイリスタ

位相制御用のプロモーション用高電力サイリスタ

Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-R219CH12FN0

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力500

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数


位相制御用の高電力サイリスタ

YZPST-R219CH12FN0

特徴:

保証最大ターンオフ時間

。すべての拡散構造

。圧力組立装置

インターデジタル増幅ゲート構成

。高いdV / dt機能


電気的特性と定格

ブロッキング-オフ状態


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





ノート:

特に指定がない限り、すべての定格はTj = 25 o Cに対して指定されています。

(1)すべての電圧定格は、適用される

上の50Hz / 60zHz正弦波

温度範囲-40〜+125 o C

(2)10ミリ秒最大パルス幅

(3)Tjの最大値= 125 o C

(4)80 V定格V DRMまでの線形および指数波形の最小値。ゲートが開いています。 Tj = 125 oC

(5)非反復値。

(6)di / dtの値は、 EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6を使用。定義された値 は、被試験スリスタと並列の 0.2 m Fコンデンサと20オームの抵抗で 構成される、低電圧回路から得られた値に追加さ れます。

実施中-状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


詳細画像



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 位相制御サイリスタ

ダウンロード
この仕入先にメール
  • *に:
    Mr. John chang
  • *メッセージ:
    あなたのメッセージは20から8000文字の間でなければなりません

お問い合わせ

John chang

Mr. John chang

電話番号:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

携帯電話:+8613805278321Contact me with Whatsapp

イーメール:info@yzpst.com

住所: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

モバイルサイト

ホーム

Phone

会社概要

お問い合わせ

苏ICP备05018286号-1