位相制御用のプロモーション用高電力サイリスタ

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-R219CH12FN0

ブランド: YZPST

製品の説明

位相制御用の高電力サイリスタ

YZPST-R219CH12FN0

特徴：

保証最大ターンオフ時間

。すべての拡散構造

。圧力組立装置

インターデジタル増幅ゲート構成

。高いdV / dt機能

電気的特性と定格

ブロッキング-オフ状態

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1200	1200	1300

V _RRM =繰り返しピーク逆電圧

V _DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V _RSM =非反復ピーク逆電圧（2）

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

ノート：

特に指定がない限り、すべての定格はTj = 25 ^o Cに対して指定されています。

（1）すべての電圧定格は、適用される

上の50Hz / 60zHz正弦波

温度範囲-40〜+125 ^o C

（2）10ミリ秒最大パルス幅

（3）Tjの最大値= 125 ^o C

（4）80 V定格V _DRMまでの線形および指数波形の最小値。ゲートが開いています。 Tj = 125 ^oC 。

（5）非反復値。

（6）di / dtの値は、 EIA / NIMA標準RS-397、セクション5-2-2-6を使用。定義された値は、被試験スリスタと並列の 0.2 m Fコンデンサと20オームの抵抗で構成される、低電圧回路から得られた値に追加されます。

実施中-状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

動的

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	10	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us