位相制御アプリケーション用の6500V高出力サイリスタ

$2502-9 Piece/Pieces

$210≥10Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
輸送方法:	Ocean,Land,Express,Others
ポート:	SHANGHAI

Option:

VRRM:6500V
VDRM:6500V
IRRM:40 mA
IDRM:200mA
IT(AV):1000A
dV/dt:1000 V/μsec
ITRMS:1650A

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-KP1000A6500V

ブランド: yzpst

Place Of Origin: China

VRRM: 6500V

VDRM: 6500V

IRRM: 40 mA

IDRM: 200mA

DV/dt: 1000 V/μsec

IT(AV): 1000A

ITRMS: 1650A

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗電気動態包装2.カートンボックス3.編組
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製品の説明

P/N：YZPST-KP1000A/6500V

高出力ティリストr 段階 コントロール アプリケーション

特徴：

。全て 拡散構造

。センター増幅GA TE構成

。保証されています 最大ターンオフ時間

。 高DV/DT 能力

。組み立てられた圧力 デバイス_

ブロッキング - オフステート

VRRM ( 1)	V DRM ( 1)	VRSM ( 1)
6500	6500	6600

VRRM =繰り返しピーク逆電圧

VDRM =状態電圧オフオフの反復ピーク

VRSM =非反復ピーク逆電圧（2）

ノート：

すべての評価は、TJ = 25 ocに対して指定されています

それ以外の場合は述べられています。

（1）すべての電圧定格は、適用された50Hz/60ZHz正弦波波形に指定されています。

温度範囲-40〜 +125 oc。

（2）10ミリ秒。マックス。パルス幅

（3）TJ = 125 ocの最大値。

（4）線形および指数関数の最小値

80％の定格VDRMへの波状。ゲートが開いています。

TJ = 125 oc。

（5）非反復値。

（6）DI/DTの値はに確立されます

EIA/NIMA Standard RS-397、セクション5-2-2-6に従って。定義された値は、スリッサーと並行して0.2μFコンデンサと20オームの抵抗を含むスナバー回路から得られたものに加えて追加されます。

テスト中。

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM / IDRM

40 mA

200mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/μsec

指揮 - 状態

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. Average value of on-state current	IT(AV)		1000		A	Sinewave, 180o conduction TC=70 oC
RMS value of on-state current	ITRMS		1650		A	Nominal value
Peak one cpstcle surge	ITSM		18		kA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
(non repetitive) current	ITSM		18		kA
I square t	I2t		1620		kA2s
Latching current	IL		1500		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		500		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.65		V	ITM = 1000A; Tvj= 125℃
Threshold voltage	VTo		1.24		V	Tvj= 125℃
Slope resistance	rT		1.01		mΩ	Tvj= 125℃
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		500		A/μs	Switching from VDRM < 1500 V,
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		500		A/μs	non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		-		A/μs	Switching from VDRM < 3500 V

ゲーティング

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		50		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		10		W
Peak gate current	IGM		10		A
Gate current required to trigger all units	IGT		400		mA mA mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT		- 2.6 -		V V V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		10		V

動的

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td		-		μs	ITM = 1000 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq		700		μs	ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01%
Reverse recovery charge	Qrr		-		μAs	ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V