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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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製品情報

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低ダイナミック損失サイリスタRCT 2000V用に最適化

  • $360
    ≥20
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
20 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-KT50BT-5STR03T2040

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

包装1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

生産高100

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力500

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数

Packaging & Delivery
Selling Units:
Piece/Pieces
Package Type:
1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装

逆導通サイリスタ

YZPST-KT50BT-5STR03T2040

特徴:
。統合フリーホイールダイオード
。低い動的損失に最適化

ブロッキング - オフ状態

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM =繰り返しピーク逆電圧

V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧

V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

ノート:

特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃に対して規定されています。

(1)すべての定格電圧は、適用されている製品の仕様です。

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲は-40〜+ 125℃です。

(2)10ミリ秒最大パルス幅

(3)Tj = 125℃のときの最大値。

(4)80%定格VDRMまでの線形および指数関数波形の最小値。ゲートが開きます。 T i = 125℃。

(5)非反復値

(6)di / dtの値はEIA / NIMA規格RS-397の5-2-2-6項に従って設定されます。定義された値は、0.2μFのコンデンサと20オームの抵抗をテスト対象のスリスタと並列に含む、回路から得られる値に追加されます。

オンダクション - オン状態

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

動的

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us                                         

熱的および機械的特性と定格

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

*取り付け面は滑らかで平らでグリースが塗られている

注:ケースの外形と寸法については、この技術データの3ページにあるケース外形図を参照してください。


REVERSE CONDUCTING THYRISTORS


Sym

A

B

C

D

H

mm

68

45

62

3.5×3

20±1

製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 逆伝導サイリスタ(RCT)

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