低ダイナミック損失サイリスタRCT 2000V用に最適化
$360≥20Piece/Pieces
お支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
最小注文数: | 20 Piece/Pieces |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | Shanghai |
$360≥20Piece/Pieces
お支払い方法の種類: | L/C,T/T,Paypal |
インコタームズ: | FOB,CFR,CIF |
最小注文数: | 20 Piece/Pieces |
輸送方法: | Ocean,Air |
ポート: | Shanghai |
モデル: YZPST-KT50BT-5STR03T2040
ブランド: YZPST
販売単位 | : | Piece/Pieces |
パッケージ型式 | : | 1.帯電防止包装2.カートン箱3.プラスチック保護包装 |
逆導通サイリスタ
YZPST-KT50BT-5STR03T2040
特徴:
。統合フリーホイールダイオード
。低い動的損失に最適化
ブロッキング - オフ状態
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM =繰り返しピーク逆電圧
V DRM =繰り返しピークオフ状態電圧
V RSM =非反復ピーク逆電圧(2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
10 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
ノート:
特に指定のない限り、すべての定格はTj = 25℃に対して規定されています。
(1)すべての定格電圧は、適用されている製品の仕様です。
50Hz / 60zHzの正弦波形
温度範囲は-40〜+ 125℃です。
(2)10ミリ秒最大パルス幅
(3)Tj = 125℃のときの最大値。
(4)80%定格VDRMまでの線形および指数関数波形の最小値。ゲートが開きます。 T i = 125℃。
(5)非反復値
(6)di / dtの値はEIA / NIMA規格RS-397の5-2-2-6項に従って設定されます。定義された値は、0.2μFのコンデンサと20オームの抵抗をテスト対象のスリスタと並列に含む、回路から得られる値に追加されます。
オンダクション - オン状態
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M IF(AV)M |
|
360 223 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=70oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
566 351 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM
IFSM |
|
5000
3500 |
|
A
A |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
125x103 61x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
100 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM VFM |
|
2.61 3.42 |
|
V |
ITM = 1000 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
ゲーティング
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
25 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
2.5 |
|
V |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC |
Peak negative voltage |
VRGM |
|
2 |
|
V |
|
動的
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
|
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
|
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
|
40 |
- |
ms |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
熱的および機械的特性と定格
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+120 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c)
RQ (j-c)D |
|
55 140 88 165 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
F |
8 |
12 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
|
*取り付け面は滑らかで平らでグリースが塗られている
注:ケースの外形と寸法については、この技術データの3ページにあるケース外形図を参照してください。
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
68 |
45 |
62 |
3.5×3 |
20±1 |
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