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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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ホーム > 製品情報 > 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 逆伝導サイリスタ(RCT) > FR1000AX50高速スイッチング逆導通サイリスタRCT

  • FR1000AX50高速スイッチング逆導通サイリスタRCT
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FR1000AX50高速スイッチング逆導通サイリスタRCT

  • $1000
    1-19
    Piece/Pieces
  • $600
    ≥20
    Piece/Pieces
Payment Type:
L/C,T/T,Paypal
Incoterm:
FOB,CFR,CIF
Min. Order:
1 Piece/Pieces
Delivery Time:
30 Days
Transportation:
Ocean,Air
Port:
Shanghai
  • 製品の説明
Overview
Product Attributes

モデルYZPST-FR1000AX50

ブランドYZPST

Supply Ability & Additional Informations

生産高1000

輸送方法Ocean,Air

原産地中国

供給能力500

認証 ISO9001-2008,ROHS

HSコード85413000

ポートShanghai

お支払い方法の種類L/C,T/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF

納期30 天数


FR1000AX50高速スイッチング逆導通サイリスタ

インバーターおよびチョッパーアプリケーションのRCT

2500 V DRM; 1550 A rms

YZPST-FR1000AX50

特徴:

。すべての拡散構造

。相互嵌合増幅ゲート構成

。最大2500ボルトのブロッキング機能

。最大ターンオフ時間を保証

。高いdV / dt機能

。圧力組立装置


電気的特性および定格

ブロッキング-オフ状態

Device Type

VDRM (1)

VDSM (1)

FR1000AX50

2500

2500


VDRM =繰り返しピークオフ状態電圧

Repetitive peak off state leakage

IDRM

 

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec


ノート:

すべての定格は、Tj = 25 o C に対して指定されています。

特に明記されていません。

(1)すべての電圧定格は、適用される

50Hz / 60zHzの正弦波形

温度範囲-40〜+125 o C

(2)10ミリ秒。マックス。パルス幅

(3)Tj = 125 o Cの 最大値

(4)線形および指数関数の最小値

80%定格のV DRM への波形 。ゲートが開いています。

Tj = 125 oC

(5)非反復値。

導通-オン状態

Parameter

Symbol

 

Max.

Typ.

Units

Conditions

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1550

 

A

Nominal value

Average on-state current

IT(AV)

 

 

   

1000

 

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

14000

 

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.2.x105

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

RNS reverse currrnt

IR(RMS)

 

630

 

A

 

Average reverse current

IR(AV)

 

    400

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak on-state voltage

VTM

 

2.2

 

 

V

ITM=1000A Tj = 125 oC

Peak reverse voltage

VRM

 

 

4.0

 

V

IRM=1200A, Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

 

      300

 

A/ms

VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125      

Critical rate of decrease of reverse conmmutating current

(di/dt)C

 

200

 

A/ms

ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125,Saturable reactor7500v.us

ゲーティング

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

8

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

350

 

 

mA

 

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

4

 

 

 

V

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC

 

Peak non- trigger voltage

VGD

 

0.2

 

V

Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM

動的

Parameter

Symbol

.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time  

tq

 

    50

 

        

 

ms

ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;

di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V

Tj = 125 oC;tw=60us

 

 

 

 

 

 

熱的および機械的特性と評価

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thyristor part thermal resistance - junction to fin

RQ (j-f)

 

0.022

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Diode part thermal resistamce – junction to fin

RQ (j-f)

 

0.070

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Mounting force

P

 

45

 

kN

 

Weight

W

 

670

 

g

YZPST-FR1000AX50-1














製品グループ : 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ) > 逆伝導サイリスタ(RCT)

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