YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ホーム > 製品情報> 半導体プラスチックパッケージ> シリコントランジスタ> TO-126 BD140-16はシリコンエピタキシャル平面PNPトランジスタ補完NPNタイプですBD139-16です
TO-126 BD140-16はシリコンエピタキシャル平面PNPトランジスタ補完NPNタイプですBD139-16です
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$0.0310000-99999 Piece/Pieces

$0.02≥100000Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Land,Others
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-BD140-16

ブランドyzpst

応用マイクロフォン, 適用できません

供給タイプ元のメーカー, ODM, その他

参考資料データシート, 写真, その他

パッケージ型式表面実装

設置方法スルーホール, 適用できません

FET機能適用できません

構成適用できません

VCBO-80V

VCEO-80V

VEBO-5V

IC-1.5A

IB-0.5A

Ptot12.5W

Tj150℃

Tstg-55~150℃

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
ダウンロード :
トランジスタBD139-16〜126FCU
製品の説明

PNPシリコントランジスタ

YZPST-BD140-16

TO-126 BD140-16はシリコンエピタキシャル平面PNPトランジスタ補完NPNタイプですBD139-16です


説明

BD140-16は、シリコンエピタキシャル平面PNPトランジスタです

Jedecから126から126個のプラスチックパッケージ、オーディオ用に設計されています

補完的または準状を使用しているアンプとドライバー

コンプメントサーキット。

相補的なNPNタイプはBD139-16です

Yzpst Bd140 16 Jpg


絶対最大定格 ta = 25 O c)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

-80

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

-80

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5.0

V

Collector Current

IC

-1.5

A

Base Current

IB

-0.5

A

Total Dissipation at

Ptot

12.5

W

Max. Operating Junction Temperature

Tj

150

oC

Storage Temperature

Tstg

-55~150

oC

電気特性(TA = 25 O C)

Parameter Symbol Test   Conditions Min. Typ. Max. Unit
Collector Cut-off Current ICBO VCB  = -80V, IE  = 0 -10 μA
Emitter Cut-off Current IEBO
VEB  = -5.0V, IC  = 0 -10 μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC  = -1.0mA, IB  = 0 -80 V
VCE  = -2.0V, IC  = -0.15A 100 250
DC Current Gain hFE
VCE  = -2.0V, IC  = -0.5A 100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage IC  = -0.5A, IB  = -0.05A -0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC  = -0.5A, VCE  = -2.0V -1 V
fT
Transition Frequency VCE  = -5.0V,IC  = -50mA 80 MHz



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