高短絡能力650V IGBTパワーモジュール200A

Name: IGBTモジュールSKM195GB066D
Uploaded: 2023-04-28T08:57:05+08:00
Description: IGBTモジュールSKM195GB066D

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Option:

製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-SKM195GB066D

ブランド: yzpst

原産地: 中国

VCES: 650V

IC: 200A

ICRM: 400A

VGES: ±20V

Ptot: 695W

梱包と配送

IGBTモジュールSKM195GB066D

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製品の説明

IGBTパワーモジュールタイプ：YZPST-SKM195GB066D

アプリケーション

モータードライブ用のインバーター

ACおよびDCサーボドライブアンプ

UPS（途切れやすい電源）

ソフトスイッチング溶接機

特徴

トレンチフィールドストップテクノロジーを備えた低VCE（SAT）

正の温度係数を持つVCE（SAT）

高速およびソフトリカバリーアンチパラレルFWDを含む

高い短絡機能（10U）

低インダクタンスモジュール構造

最大接合温度175℃

絶対最大評価

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	650	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	200	A
Peak Collector Current	ICRM	tp=1ms	400	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	695	W

IGBT特性

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃	5.1	5.8	6.3	V
		VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃			5	mA
Collector-Emitter		Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃		1.45	1.95	V
Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃		1.65		V
Input Capacitance	Cies	VCE=25V,VGE =0V,		12.3		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	f=1MHz, Tvj=25℃		0.37		nF
Internal Gate Resistance	Rgint			1		Ω
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Ttime	td(off)	VCE =300 V		348		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		58		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG = 3.6Ω		2.32		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=25℃		5.85		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns


Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Time	td(off)	VCE = 300V		364		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		102		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG =3.6Ω		3.08		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=125℃		7.92		mJ
SC Data	Isc	Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150℃ , Vcc=300V,VCEM≤650V		1000		A

ダイオード特性

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Recovered Charge	Qrr			8.05		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		148		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=25℃		1.94		mJ
Recovered Charge	Qrr			16.9		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		186		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=125℃		3.75		mJ

モジュール特性STICS T C = 25°C特に指定がない限り

Parameter	Symbol	Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum Junction Temperature	Tjmax				150	℃
Operating Junction Temperature	Tvj op		-40		125	℃
Storage Temperature	Tstg		-40		125	℃
		per IGBT-inverter			0.19	K/W
Junction-to Case	R θjc	per Diode-inverter			0.31	K/W
Case to Sink	R θcs	Conductive grease applied		0.085		K/W
Module ElectrodesTorque	Mt	Recommended(M5)	2.5		5	N · m
Module-to-SinkTorque	Ms	Recommended(M6)	3		5	N · m
Weight of Module	G			150		g