YZPST 1200V 150B120F23 IGBTパワーモジュール

Name: IGBTモジュール1200V150A 150B120F23
Uploaded: 2023-05-05T06:45:16+08:00
Description: IGBTモジュール1200V150A 150B120F23

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

お支払い方法の種類:	L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:	FOB,CFR,CIF
輸送方法:	Ocean,Land
ポート:	SHANGHAI

Option:

VCES:1200V
IC:150A
ICRM:300A
VGES:±20V
Ptot::968W

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製品の説明

製品の属性

モデル: YZPST-150B120F23

ブランド: yzpst

原産地: 中国

VCES: 1200V

IC: 150A

ICRM: 300A

VGES: ±20V

Ptot: 968W

梱包と配送

販売単位	:	Piece/Pieces
パッケージ型式	:	1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
ダウンロード	:

IGBTモジュール1200V150A 150B120F23

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製品の説明

IGBTパワーモジュールYZPST-150B120F23

VCE = 1200V IC = 150A

アプリケーション
モータードライブ用のインバーター
ACおよびDCサーボドライブアンプ
UPS（途切れやすい電源）
ソフトスイッチング溶接機
特徴
トレンチフィールドストップテクノロジーを備えた低VCE（SAT）
正の温度係数を持つVCE（SAT）
高速およびソフトリカバリーアンチパラレルFWDを含む
高い短絡機能（10U）
低インダクタンスモジュール構造

最大接合温度175℃

YZPST-150B120F23 IGBT Module

絶対最大評価

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	1200	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	150	A
Peak Collector Current	ICRM	tp=1ms	300	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	968	W

IGBT特性

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =4mA,Tvj=25℃	5.2	6	6.8	V
		VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125℃			5	mA
Collector-Emitter		Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25℃		1.8	2.1	V
Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125℃		2		V
Input Capacitance	Cies			9.8		nF
Output Capacitance	Coes	VCE=25V,VGE =0V,		0.82		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	f=1MHz, Tvj=25℃		0.48		nF
Internal Gate Resistance	Rgint			2.5		Ω
Turn-on Delay Time	td(on)			185		Ns
Turn-on Delay Time	td(on)			185		Ns
Rise Time	tr	IC =150 A		55		Ns
Turn-off Delay Ttime	td(off)	VCE = 600 V		360		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		115		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG = 5.1Ω		15.4		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=25℃		11.6		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			200		Ns


Rise Time	tr	IC =150 A		60		Ns
Turn-off Delay Time	td(off)	VCE = 600 V		420		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		120		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG =5.1Ω		23.2		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=125℃		17		mJ
		Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data	Isc	Tvj=150℃,Vcc=600V,		500		A
		VCEM≤1200V

ダイオード特性

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Diode DC Forward Current	IF	Tc=100℃		150		A
Diode Peak Forward Current	IFRM			300		A
		IF=150A,Tvj=25℃		1.8	2.3	V
Forward Voltage	VF	IF=150A,Tvj=125℃		1.85		V

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Recovered Charge	Qrr			13.4		uC

		IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current	Irr	VR=600V		143		A
Reverse Recovery Time	trr	-diF/dt =2200A/us		160		ns
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=25℃		9.1		mJ
Recovered Charge	Qrr			26.1		uC

		IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current	Irr	VR=600V		178		A
Reverse Recovery Time	trr	-diF/dt =2200A/us		440		ns
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=125℃		15.4		mJ

モジュール特性t c = 25°C特に指定がない限り

Parameter	Symbol	Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum Junction Temperature	Tjmax				150	℃
Operating Junction Temperature	Tvjop		-40		125	℃
Storage Temperature	Tstg		-40		125	℃
		per IGBT-inverter			0.155	K/W
Junction-to Case	R θjc	per Diode-inverter			0.292	K/W
Case to Sink	R θcs	Conductive grease applied		0.05		K/W
Module ElectrodesTorque	Mt	Recommended(M5)	2.5		5	N·m
Module-to-SinkTorque	Ms	Recommended(M6)	3		5	N·m
Weight of Module	G			150		g