YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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ホーム > 製品情報> 半導体ディスクデバイス(カプセルタイプ)> 位相制御サイリスタ> 2800V N2055MC280位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ
2800V N2055MC280位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ
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2800V N2055MC280位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ

$4010-49 Piece/Pieces

$38≥50Piece/Pieces

お支払い方法の種類:L/C,T/T,Paypal
インコタームズ:FOB,CFR,CIF
輸送方法:Ocean,Land,Express,Others
ポート:SHANGHAI
製品の属性

モデルYZPST-N2055MC280

ブランドyzpst

供給タイプ元のメーカー

参考資料データシート, 写真

原産地中国

構成アレイ

現在の内訳適用できません

電流保持(Ih)(最大)適用できません

電流オフ状態(最大)適用できません

SCR番号、ダイオード適用できません

動作温度-40°C〜125°C(TJ)

SCRタイプ適用できません

構造適用できません

電圧オン適用できません

電圧ゲートトリガー(Vgt)(最大)適用できません

電流出力(最大)適用できません

VRRM2800V

VDRM2800V

VRSM2900V

DV/dt500 V/μsec

IT(AV)2000A

ITRMS2000A

I2t3.3x106 A2s

IL800mA

梱包と配送
販売単位 : Piece/Pieces
パッケージ型式 : 1.抗電気造りの包装2.カートンボックス3.編組
写真の例 :
ダウンロード :
私域A1237NC280.MP4
製品の説明

P/N:YZPST-N2055MC280

位相制御アプリケーション用の高出力サイリスタ
特徴:
。すべての拡散構造
。ゲート構成を増幅する中心
。保証された最大ターンオフ時間
。高DV/DT機能
。圧力組み立てデバイス
電気的特性と評価
ブロッキング - 状態外

VRRM(1)

V DRM(1)

VRSM(1)

2800

2800

2900

VRRM =反復ピーク逆電圧
VDRM =状態電圧オフオフの繰り返しピーク
VRSM =非反復ピーク逆電圧(2)

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/μsec

YZPST-N2055MC280-1

指揮- の上

Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Average value of on-state current IT(AV)   2000   A Tc=93oC
RMS value of on-state current ITRMS   2000   A Nominal value
Peak one cPSTCle surge ITSM   41000   A 8.3 msec (60Hz),sinusoidal wave-   shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
(non repetitive) current 36000 A
I square t I2t   3.3x106   A2s 8.3 msec and 10.0 msec
Latching current IL   800   mA VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current IH       mA VD = 24 V; I = 2.5 A
400
Peak on-state voltage VTM       V ITM = 2000 A;
1.45
Critical rate of rise of on-state current (5) di/dt       A/μs Switching from VDRM  < 1000 V, non-repetitive
200
ゲーティング
Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Peak gate power dissipation PGM   200   W tp = 40 us
Average gate power dissipation PG(AV)   5   W  
Peak gate current IGM   10   A  
Gate current required to trigger all units IGT   300   mA VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC   VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +25 oC  VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +125oC
150 mA
125 mA
Gate voltage required to trigger all units VGT   5   V VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC    VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL  = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
0.3 3 V
    V
Peak negative voltage VGRM   5   V  

動的

Parameter Symbol Min. Max. Typ. Units Conditions
Delay time td   1.5 0.7 μs ITM = 50 A; VD  = Rated VDRM
Gate pulse: VG = 20 V; RG  = 20 ohms; tr = 0.1 μs; tp  = 20 μs
Turn-off time (with VR  = -50 V) t   500 250 μs ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
VR > -50 V; Re-applied dV/dt = 20   V/μs linear to 80% VDRM; VG  = 0;     Tj = 125 oC; Duty cPSTCle > 0.01%
Reverse recovery charge Qrr       μC ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/μs;
* VR > -50 V

YZPST -N2055 MC 280

YZPST-N2055MC280
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